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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 掺锗自支撑氮化镓衬底上的垂直氮化镓肖特基势垒二极管

    摘要： 采用氢化物气相外延法生长的锗掺杂自立式氮化镓衬底上制备了垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(SBD)。通过详细的材料表征发现，氮化镓中的锗掺杂具有显著优势，使得器件应力更低、缺陷更少且品质更高?；诘缛?电压和电流-电压测试结果，该SBD实现了低开启电压(Von=0.71~0.74V)、高电流开关比(Ion/Ioff=3.9×10^7~2.9×10^8)、高肖特基势垒高度(0.96~0.99eV)以及高击穿电压(Vb=802V@100mm直径)，表明锗掺杂衬底上的垂直氮化镓SBD是高功率应用的理想候选器件。

    关键词： 氮化镓器件，垂直肖特基二极管，低开启电压，锗掺杂氮化镓衬底，高击穿电压

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

    摘要： 我们首次报道了在6英寸硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长6.6微米厚氮化镓（GaN）基础上，实现全垂直功率MOSFET的成果。研究团队开发出基于选择性局部去除硅衬底及高阻GaN缓冲层的稳健制备工艺，随后通过电镀在背面共形沉积35微米厚铜层，为漏极提供优异的机械稳定性与电接触。通过优化栅极沟槽制备工艺，显著提升了p-GaN沟道有效迁移率与器件输出电流。所研制的高性能全垂直GaN-on-Si MOSFET具有5 mΩ·cm2的低比导通电阻（Ron,sp）和520 V的高耐压值，这一成果标志着在低成本硅衬底上实现高性能GaN垂直功率器件取得重要突破。

    关键词： 功率器件、氮化镓、低导通电阻、比导通电阻、硅基氮化镓、全垂直结构、MOSFET、垂直结构、高击穿电压

    更新于2025-09-23 08:03:18