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oe1(光电查) - 科学论文

33 条数据
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  • 具有强耦合效应的高性能InGaN双沟道高电子迁移率晶体管

    摘要： 本文提出并系统研究了高性能InGaN双沟道（DC）高电子迁移率晶体管（HEMTs）。通过双InGaN沟道的协同作用，实现了较大的最大漏极电流密度以及跨导和频率性能的显著双峰特征。更重要的是，研究表明两个InGaN沟道之间的耦合效应远强于传统GaN DC HEMTs。这一特性导致栅极电压摆幅显著提升，表明InGaN DC HEMTs在直流和射频条件下均具有优异的线性度。得益于InGaN沟道中增强的电子限制效应，所制备的HEMTs展现出0.26 μA/mm的低关态漏极泄漏电流和5.1 × 10?的高开关电流比（Ion/Ioff）。此外，还获得了理想的电流崩塌和击穿特性。该工作有力证明了InGaN DC HEMTs在高功率和高带宽应用中的巨大潜力和实用性。

    关键词： 高功率、氮化铟镓、双沟道、高电子迁移率晶体管、高带宽、耦合效应、线性度

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 基于肖特基二极管和氮化铝衬底的190 GHz高功率输入倍频器

    摘要： 本文介绍了一款可处理高达260毫瓦输入功率的190GHz肖特基二极管倍频器（×2倍频器）的设计与开发。为提升功率处理能力，提出了一种结合计算机辅助设计（CAD）负载牵引技术的建模方法来表征二极管性能。通过该方法，定量研究了多个关键二极管参数对功率处理问题的影响，并基于分析结果设计了用于倍频器的离散二极管芯片。为确保倍频器电路快速散热，选用热导率显著优于当前广泛使用的熔融石英的低成本氮化铝陶瓷（AlN）作为电路基板介质材料。该倍频器电路采用平衡结构配置，其优势在于无需使用滤波器即可实现输入输出信号隔离。通过ANSYS的HFSS与Keysight的ADS协同仿真对倍频器电路进行优化。测试表明，该倍频器可处理高达260毫瓦输入功率，功率转换效率接近8%，在193GHz频率下产生20毫瓦输出功率。

    关键词： 高功率、氮化铝衬底、肖特基二极管、CAD负载牵引、太赫兹倍频器

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日-2018年9月28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 基于离散肖特基二极管的270-320GHz高功率高效源

    摘要： 本工作报道了一种基于离散肖特基二极管技术的300 GHz信号源。由ACST开发的高频部分包含两个高功率、高效率倍频器：一个工作在135-160 GHz频段，另一个工作在270-320 GHz频段。两个倍频器均采用单芯片模块设计，且未使用任何功率合成技术。150 GHz和300 GHz倍频器分别可处理超过400 mW和100 mW的输入功率，并提供超过140 mW和30 mW的输出功率。这是该频段范围内基于离散肖特基二极管、且未采用功率合成技术的最强300 GHz信号源。

    关键词： 肖特基二极管，高效，高功率，倍频器

    更新于2025-09-04 15:30:14