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耦合太赫兹回音壁模式谐振器中的可调高品质因数法诺共振
摘要： 法诺共振在传感器、滤波器、调制器和群延迟?？榈裙δ苄蕴兆绕骷纳杓浦斜还惴禾致?。通常，高Q因子和灵活的可调谐性是这些应用的关键要求。本文展示了耦合太赫兹回音壁模式谐振器（WGMRs）中0.439太赫兹处Q因子为2095的可调谐太赫兹法诺共振。通过将相对低Q值（578）的石英环与高Q值（2095）的硅环耦合来产生高Q法诺共振。利用电热光调谐方法调节高Q值WGMR的共振频率（即可主动操控法诺共振的共振频率），同时通过调整两个WGMR之间的耦合强度来调控法诺共振的共振强度。这种耦合WGMR方案实现了可调谐的高Q法诺共振，有助于高性能可配置太赫兹器件的设计。
关键词： 可调谐性、高Q因子、回音壁模式谐振器、法诺共振、太赫兹
更新于2025-09-16 10:30:52
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[IEEE 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 中国黄山(2019.8.5-2019.8.8)] 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 高Q值硅微谐振器的设计与制备
摘要： 我们在绝缘体上硅（SOI）平台上设计并制备了两种不同的高Q值微谐振器。这两种器件结构分别是非同心微环谐振器（MRR）和带有脊形波导的微盘谐振器（MDR）。理论分析和实验验证表明，单次往返的本征功率损耗得以降低，从而提高了Q值。分别实现了最高8×10?和1.9×10?的Q值。
关键词： 绝缘体上硅平台、微谐振器、高Q因子
更新于2025-09-16 10:30:52
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 嵌入高Q值布拉格腔的MoSe?与WSe?实现二维体系中的强激子-极化子耦合
摘要： 过渡金属二硫化物(TMDCs)是一类具有1.0至2.5电子伏特直接带隙的二维半导体材料。其电子与光学特性主要由强束缚激子主导，适用于高共振腔中光-物质耦合相互作用的观测。从应用角度看，此类腔体不仅需要高Q值，还必须具备结构稳定性和可重复性。我们报道了采用离子辅助沉积(IAD)工艺制备负载TMDC的腔体：将机械剥离的MoSe?和WSe?单层薄片置于SiO?/TiO?多层膜溅射布拉格反射镜上，再通过IAD直接沉积八组SiO?-TiO?对构成第二腔镜，整个镀膜过程保持温和条件以适应TMDC薄片微弱的范德华附着力。图1(a)展示了腔体镀膜前后的俯视形貌。在5-300K区间多次升降温循环的实验光致发光(PL)测量(图1(b))表明该工艺未损伤TMDC薄片。测得腔体共振线宽为0.16纳米，对应Q值达4683。通过聚焦离子束切片区域的PL测量证实腔体内存在原始高质量MoSe?[5]。进一步PL测量显示激子与腔模发生强耦合，混合极化子分支的塞曼分裂现象(图1(c))验证了该耦合。磁场作用使杂化光-物质耦合基态发生分裂与极化，证实存在极化子共振。耦合振子模型拟合得出拉比劈裂约51毫电子伏特，失谐量约55毫电子伏特(对应|δ/Ω|~0.13)?；谡庑┓⑾郑颐墙致厶嵘庋值和激子线宽的具体技术路径，以实现室温强耦合。
关键词： 高Q因子、激子-极化子耦合、二维体系、二硒化钼、二硒化钨、布拉格腔
更新于2025-09-12 10:27:22