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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 用于加速并行晶格动力学蒙特卡罗模拟的动态空间划分方法
摘要： 一种新的动态空间划分方法被引入并行化晶格动力学蒙特卡罗（kMC）模拟器中，以克服其他并行化kMC模拟器中存在的并行效率损失问题。该模拟单元的动态划分通过所有线程实现更好的负载均衡，从而减少模拟过程中的耗时事件。新方法针对假设案例和实际案例进行了评估。在这两种情况下，串行模拟与并行化模拟之间的差异均极小。对于实际案例，可能需要其他代码优化措施来进一步提高并行效率。
关键词： 共享内存、随机性、纳米级、鳍式场效应晶体管（FinFET）、kMC（动力学蒙特卡罗方法）、并行化效率、OpenMP
更新于2025-09-23 15:22:29
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三栅极硅纳米线场效应晶体管的电导调节灵敏度
摘要： 采用电流瞬态直接测量法研究了SOI三栅硅纳米线的单粒子瞬态(SET)响应。通过两个步骤将收集电荷分布与模拟结果进行对比：一是使用详细的电荷产生描述进行沉积能量的蒙特卡罗模拟，二是进行收集电荷的TCAD模拟，获得了与实验数据良好的一致性。因此，现有模拟工具经过少量优化后即可用于此类集成器件的模拟。对SET的分析表明，收集到的电荷值既低于根据线性能量转移(LET)估算的电荷，也低于纳米线中实际产生的电荷，揭示了纳米线器件对高LET离子的有限敏感性。
关键词： 纳米线、单粒子效应瞬态（SEE）、单粒子瞬态（Single - Event Transient）、超薄绝缘体上硅（Ultra - Thin SOI）、粒子 - 物质相互作用、单粒子效应（Single - Event Effect）、Geant4、鳍式场效应晶体管（FinFET）、技术计算机辅助设计（TCAD）、多栅极、模拟、单粒子瞬态（SET）、实验
更新于2025-09-23 15:21:01
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评估采用栅极与源/漏区欠叠结构的In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As FinFET中界面陷阱对14纳米以下技术节点短沟道效应的抑制作用
摘要： 采用栅源/漏极欠重叠鳍长（Lun）结构的硅FinFET器件多年来被有效用于抑制短沟道效应。本研究针对In0.53Ga0.47As材料的FinFET结构展开研究，通过三维TCAD模拟对14nm沟道长度且具有欠重叠结构的In0.53Ga0.47As FinFET进行多效应耦合分析，探究界面陷阱对器件的影响。通过研究陷阱效应对短沟道效应和本征延迟的主导作用，评估了欠重叠器件的变化趋势。同时展示了金属栅功函数波动（MGWF）对阈值电压和导通电流的影响。模拟设置了Lun=0、3nm、6nm和9nm四种情况，界面陷阱密度分别为10^12和10^14 cm^-2eV^-1。结果表明：随着Lun增大，亚阈值摆幅（SS）得到改善但以本征延迟为代价；当Lun超过6nm后SS提升趋于平缓。此外发现：由MGWF波动引起的阈值电压和导通电流相对标准偏差，在Lun增至6nm前持续改善，此后改善幅度不再显著。
关键词： In0.53Ga0.47As（砷化铟镓）、短沟道效应、本征延迟、界面陷阱、鳍式场效应晶体管（FinFET）、亚阈值摆幅、金属栅功函数变化
更新于2025-09-10 09:29:36
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先进鳍式器件的ZTC偏置点：重要性与探索
摘要： 目前对这项工作的理解是评估并解决亚20纳米FinFET的温度补偿点（TCP）或零温度系数（ZTC）点。通过商业化的Synopsis公司TCAD仿真器Sentaurus?，研究了几何参数对基于鳍式器件各种性能的敏感性及其在25°C至225°C宽温度范围内的可靠性，以扩展器件可扩展性的基准。成功分析了鳍高度（HFin）、鳍宽度（WFin）和温度（T）对FinFET大量性能指标的影响，包括开关比（Ion/Ioff）、跨导（gm）、增益（AV）、截止频率（fT）、静态功耗（PD）、能量（E）、能量延迟积（EDP）以及最佳工作点（gmfT/ID）。
关键词： 鳍式场效应晶体管（FinFET）、H型鳍、W型鳍、静态与动态性能、TCP或ZTC
更新于2025-09-10 09:29:36