标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
基于GaAs(001)衬底上2×4表面重构生长的InAs亚单层量子点的高探测率红外光电探测器
摘要： 红外光电探测器的亚单层量子点通过分子束外延技术在极低砷通量和2×4表面重构条件下生长，以有效成核形成此类纳米结构所需的小尺寸二维InAs岛。在1.0 V偏压、10 K温度下获得了9.2×101? cm Hz1?2 W?1的比探测率。
关键词： InAs亚单层量子点、2×4表面重构、分子束外延、红外光电探测器、GaAs(001)衬底
更新于2025-09-12 10:27:22