[2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 美国加利福尼亚州圣地亚哥（2018.10.15-2018.10.17）] 2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 一款用于雷达应用的6kV ESD防护低功耗24GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

摘要： 本文介绍了一种采用英飞凌SiGe BiCMOS工艺实现的低功耗、ESD?；さ?4GHz单端输入差分输出单级共源共栅低噪声放大器。该电路采用桥接T型线圈作为负载，通过电感分压网络实现阻抗变换并扩展带宽。为降低功耗，电路工作在1.5V低电源电压下，因此采用多tanh双极结构补偿线性度损失。在24GHz中心频率下，该放大器（含片上输入巴伦）提供12dB增益和2.6dB噪声系数，在24GHz频点展现出-10dBm输入参考1dB压缩点的优异线性度。该LNA在1.5V单电源下功耗为18mA。通过HBM脉冲发生器测试表明，输入射频引脚具有6kV HBM ESD耐受能力。包含焊盘的芯片面积为0.49mm2。