采用交叉堆叠氧化物/金属/氧化物电极层的高度柔性透明忆阻器件

摘要： 柔性透明忆阻器件（FT-忆阻器）被视为未来非易失性存储器的潜力候选者。要实现这类器件，关键在于制备柔性透明导电电极（TCEs）。然而传统TCEs材料如氧化铟锡、氧化镓锌和氧化铟锌既缺乏柔韧性，又需高温退火才能获得高导电性与光学透过率。本研究在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底（PET）上无需任何退火工艺，采用交叉堆叠的氧化物/金属/氧化物电极层结构（即ZnO/Ag/ZnO+ZnO/Ag/ZnO和Al2O3/Ag/Al2O3+Al2O3/Ag/Al2O3），成功制备了基于Ag/ZnO/Ag与Ag/Al2O3/Ag的FT-忆阻器。这两种PET基FT-忆阻器均展现出优异特性：可见光区透过率>86%、开关比>103、数据保持时间>10?秒。在8.1毫米弯曲半径下经历2500次弯折后，PET衬底上的器件仍保持高度稳定的柔性特性。最后通过透射电镜图像和飞行时间二次离子质谱分析，我们揭示了这些器件的开关机制。