金属化后退火对Al?O?/GaN结构界面特性的影响

摘要： 在本研究中，我们采用原子层沉积法制备的Al2O3，研究了后金属化退火（PMA）对GaN金属-氧化物-半导体（MOS）结构界面特性的影响。在300-400°C氮气环境下进行PMA后，MOS样品展现出无频率色散的优异电容-电压（C-V）特性。该PMA样品的状态密度最高仅为4×101? cm?1 eV?1。透射电镜图像的几何相位分析表明，PMA后Al2O3/GaN界面附近的晶格常数呈均匀分布，从而改善了界面沿线的键端配位和键序构型。