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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 具有可调耐酸性的锆掺杂氧化铟有源层的背沟道蚀刻薄膜晶体管

    摘要： 本文开发了一种可调耐酸性的锆掺杂氧化铟（ZrInO）半导体材料。详细研究表明，ZrInO薄膜的耐酸性具有可调性且随退火温度升高而增强。利用这一特性，我们成功制备了基于可调耐酸ZrInO薄膜的背沟道刻蚀型（BCE）薄膜晶体管（TFT）。采用BCE结构的ZrInO-TFT展现出优异电学性能：饱和迁移率达21.4 cm2V?1s?1，亚阈值摆幅为0.28 V/十倍频程，开关电流比达1.0×10?。这些结果表明，所开发的具有可调耐酸性的ZrInO半导体在BCE-TFT沟道层应用中具有良好的前景。

    关键词： 氧化物半导体，阳极氧化铝（Anodic Al2O3），可调谐耐酸锆掺杂氧化铟（ZrInO），背沟道蚀刻（BCE），薄膜晶体管（TFTs）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 化学、分子科学与化学工程参考?？?|| 氧化铝、氧化铪和氧化钛超薄膜中的界面电势、本征缺陷与钝化机制

    摘要： 为了在提供表面反应活性中心、表面钝化或调节表面电位等方面定制界面特性，超薄金属氧化物表面涂层具有重要意义。本文报道了通过原子层沉积（ALD）制备的Al2O3、HfO2和TiO2超薄膜在上述方面的适用性。我们选择这些金属氧化物是因为它们应用广泛：HfO2是微电子器件中替代SiO2的主要候选材料[1,2]；Al2O3 ALD薄膜已应用于硅基[3]及近年钙钛矿太阳能电池[4]的钝化方案；TiO2则在阻变器件[5]以及太阳能电池[6]、水分解装置[7,8]等能量转换应用中作为活性/非活性层具有吸引力（仅举数例）。ALD技术的优势包括：(i) 精确控制厚度以优化光吸收（耗尽层范围内）与电荷分离（更薄厚度）之间的平衡[7]；(ii) 高保形性可覆盖复杂结构并增强光吸收[7]；(iii) 通过掺杂W[7]或N[9,10]调控带隙窄化，从而实现可见光吸收。

    关键词： Al2O3、HfO2、TiO2、超薄膜、界面势、本征缺陷、钝化机制、原子层沉积

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 在Al?O?(0001)/Pt(111)模板晶圆上通过化学气相沉积法生长毫米级石墨烯单晶

    摘要： 本文讨论了在铂表面通过化学气沉积法合成石墨烯的过程。铂基底的晶体特性及石墨烯生长条件对获得低缺陷单层石墨烯起关键作用。由于无织构多晶铂箔上会出现石墨烯过度生长现象，因此需要采用具有单一铂晶向的模板晶圆。虽然经过长时间退火步骤可获得单晶铂箔，但这些铂箔仍较粗糙，因而不适用于后续的石墨烯转移工艺。另一方面，高取向铂薄膜虽能避免过度生长问题，但会导致不同晶向晶粒上出现差异化的成核现象。研究发现Al2O3(0001)/Pt(111)是优化的石墨烯生长模板，其平整度比退火处理的Pt(111)箔高出至少一个数量级，可作为理想催化剂生长直径超过7毫米的石墨烯晶粒。

    关键词： 化学气相沉积、单晶、铂、Al2O3(0001)/Pt(111)基底、石墨烯

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 沉积方法对(Al?.??Ga?.??)?O?上SiO?和Al?O?价带偏移的影响

    摘要： 半导体上电介质的价带偏移量常存在报道差异，已知原因包括金属或碳污染、界面无序、电介质成分变化、热条件、应变及表面终止效应。本文研究表明，在单晶(Al0.14Ga0.86)2O3衬底上，常见栅极电介质SiO2和Al2O3的能带排列会因溅射或原子层沉积工艺产生高达1电子伏特的差异——对于Al2O3，这种差异使其能带排列从嵌套型（I类）转变为交错型（II类）。通过X射线光电子能谱测量各异质结界面的价带偏移量：在β-(Al0.14Ga0.86)2O3上，溅射Al2O3为?0.85±0.15电子伏特，ALD Al2O3为0.23±0.04电子伏特；溅射SiO2为0.6±0.10电子伏特，ALD SiO2为1.6±0.25电子伏特。这些结果与近期发现一致，即Ga2O3及相关合金表面在暴露于高能离子环境时易发生显著变化。

    关键词： Al2O3、(Al0.14Ga0.86)2O3、SiO2、价带偏移、原子层沉积、X射线光电子能谱、溅射

    更新于2025-09-04 15:30:14