采用CdSe/CdS核壳量子点作为电极修饰层的非易失性阻变存储器件

摘要： 忆阻器在性能的各个领域都展现出巨大优势，在下一代主流存储设备中具有巨大潜力。然而，其电阻切换电压的随机分布一直是应用中的问题之一。本工作提出了一种非易失性阻变存储器件，该器件采用组装为电极修饰层的CdSe/CdS核壳量子点（QDs），器件结构为Pt/CdSe-CdS QDs/TaOx/Ta。该器件具有多种优异的电阻切换特性，如更低且更一致的置位/复位阈值电压以及更好的耐久性，这被认为是基于CdSe/CdS核壳QDs的电极修饰层的效果。提出了一个具有不均匀QDs/Pt电极界面的模型来解释不同的电阻切换行为，这可能有助于现有基于金属氧化物和量子点的忆阻器研究的发展。