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基于CdSe/ZnS量子点的比率荧光传感器用于过氧化氢检测的研究
摘要： 本研究合成了羧基功能化CdSe/ZnS量子点（QDs）与氨基荧光素（AF）包封的聚合物颗粒，并将其固定于缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（GPTMS）和氨丙基三甲氧基硅烷（APTMS）的溶胶-凝胶混合体系中，制备出过氧化氢传感膜。CdSe/ZnS量子点通过向受体传递电子的还原途径参与过氧化氢（H2O2）的氧化还原反应，导致量子点荧光猝灭，而AF作为参比染料。其中，CdSe/ZnS量子点与AF的比率荧光强度与过氧化氢浓度成正比。该荧光膜（即QD-AF膜）可在0.1-1.0 mM线性检测范围内检测过氧化氢（检测限LOD为0.016 mM），以及在1.0-10 mM范围内检测（LOD为0.058 mM）。通过在QD-AF膜表面固定辣根过氧化物酶（HRP）（即HRP-QD-AF膜），其灵敏度得到提升。HRP-QD-AF膜对0.1-1 mM H2O2的LOD为0.011 mM，对1-10 mM H2O2的LOD为0.068 mM。虽然两种膜均具有良好的选择性，但HRP-QD-AF膜比单独QD-AF膜具有更高灵敏度。HRP-QD-AF膜可用于测定废水中过氧化氢浓度，而QD-AF膜可用于α-酮丁酸检测。
关键词： 比率荧光量子点膜、CdSe/ZnS量子点、过氧化氢、α-酮丁酸、氧化还原反应
更新于2025-09-12 10:27:22
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通过采用溅射制备的氧化锌锡电子传输层和热蒸镀的氧化钨电荷限制层，提升CdSe/ZnS量子点发光二极管的电荷平衡与性能
摘要： 通过采用真空沉积的电子传输层(ETL)和载流子限制层(CRL)，成功改善了CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD-LEDs)的载流子平衡与器件性能。通过优化反应溅射氧化锌锡(ZTO)ETL的制备工艺并采用热蒸镀氧化钨(WOx)CRL，有效提升了电子-空穴平衡，从而获得性能更优的QD-LEDs。阻抗谱分析技术成功应用于研究QD-LED各功能层的载流子注入过程及电子-空穴复合行为。优化ZTO ETL但未采用WOx CRL的QD-LED展现出2600 cd m?2亮度和3.2 cd A?1电流效率，而同时采用优化ZTO ETL与WOx CRL的QD-LED则达到3900 cd m?2亮度和5.1 cd A?1电流效率。这些结果为改善QD-LEDs的电子-空穴平衡与器件性能提供了实用方法，并建立了分析QD-LED载流子行为的可靠技术。
关键词： CdSe/ZnS量子点、发光二极管、氧化钨、电荷平衡、氧化锌锡、阻抗谱分析
更新于2025-09-11 14:15:04
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胶体量子点的光致发光衰减：可逆捕获及相关陷阱态的本质
摘要： 界面是决定胶体量子点（QDs）特性的关键因素，尤其是这些材料特有的尺寸依赖性光学性质。然而，即使是研究最深入的II-VI族量子点，其纳米晶光致发光（PL）衰减动力学与量子点相关界面的作用仍未完全阐明。特别需要指出的是，界面是陷阱位点的温床——控制这些陷阱对量子点器件的高效性能至关重要，因为陷阱会影响PL寿命并可能导致PL间歇现象。本研究分析了滴涂法制备的CdSe/ZnS量子点薄膜在室温下的PL衰减特性，通过改变多种因素（旋涂溶剂、封端配体、核壳界面特性）进行探究。我们证明：采用包含物理意义明确参数（时间常数、俘获/释放速率常数及每个量子点的平均陷阱数量）的可逆载流子俘获函数，能够获取与这些电荷载流子复合过程相关的关键界面信息，进而揭示陷阱态的本质。该方法适用于多种组分的量子点，也可推广至无机半导体之外的材料体系。
关键词： 光致发光衰减、陷阱态、可逆俘获、CdSe/ZnS量子点、胶体量子点
更新于2025-09-11 14:15:04