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[IEEE 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 印度科因巴托尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018年第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 基于CMOS的伽马辐射剂量计比较研究
摘要： 本文对基于CMOS的双栅RADFET、全包围栅极（GAA）RADFET和无结双栅（JL-DG）RADFET剂量计及其电学性能进行了定量对比研究。采用Sentaurus三维器件模拟器的伽马辐射模型，探究了中等剂量辐射环境下电子-空穴的俘获与释放现象，并分析了总剂量对阈值电压和漏极电流的影响。结果表明：相较于传统双栅RADFET和GAA RADFET剂量计，无结双栅RADFET的亚阈值参数得到改善。
关键词： 阈值电压，Sentaurus TCAD，JL DG RADFET，DG RADFET，伽马辐射模型，GAA MOSFET
更新于2025-09-23 05:39:12