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出版时间
- 2020
- 2019
- 2018
研究主题
- Cu(In
- Ga)Se2
- 太阳能电池
- 肖特基势垒
- 氧化铟锡
- 光伏
- 钠掺杂
- 硒化镓(Ga)Se2
- 欧姆接触
- 氧化镓(GaOx)
应用领域
- 光电信息材料与器件
- 材料科学与工程
机构单位
- Uppsala University
- Korea Institute of Science and Technology
- Ritsumeikan University
- Karlsruhe Institute of Technology (KIT)
- Université de Nantes
- Martin Luther University Halle-Wittenberg
- Empa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology
- Tokyo Institute of Technology
- Tokyo University of Science
- Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg (ZSW)
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重碱后沉积处理对宽禁带Cu(In,Ga)Se2的影响
摘要： 研究了钾、铷和铯沉积后处理（PDT）对宽带隙Cu(In,Ga)Se?（CIGSe）吸收层的影响。结果表明，碱金属处理可提升电池效率并实现更高的开路电压（VOC）。尽管效率有所改善，但处理样品的激活能（EA）仍小于带隙（Eg），且红光下的VOC(t)瞬态呈现负斜率。因此，宽带隙CIGSe器件仍受限于界面复合。然而，相同Eg的处理与未处理样品的VOC(t)瞬态具有不同斜率（dΔVOC(t)/dt）。经重碱金属（RbF和CsF-PDT）处理的CIGSe样品相比无PDT及KF-PDT样品展现出更小的斜率。本文通过关联光照依赖的掺杂密度（NA,a）及可能的钠交换机制，探讨了VOC(t)斜率（即dΔVOC(t)/dt）的变化规律。
关键词： 碱处理、宽带隙、(Ga)Se2、Cu(In)、复合、沉积后处理、太阳能电池、开路电压
更新于2025-09-09 09:28:46