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铝转化AlAs纳米薄膜上的外延GaAs和pHEMT
摘要： 半导体与金属之间的异质外延生长推动了新型器件的发展并实现了多种应用。在本研究中，我们探究了在纳米尺度铝转化AlAs薄膜上生长GaAs层的过程。通过多种材料表征方法及制备高电子迁移率晶体管证实，所生长的GaAs层为单晶且具有高质量。我们发现一个名为"铝的砷化"的有趣过程对成功实现外延生长起关键作用。本研究为未来各类器件应用中生长半导体/金属异质结构开辟了新途径。
关键词： 外延生长、pHEMT、砷化、AlAs（砷化铝）、GaAs（砷化镓）
更新于2025-09-04 15:30:14