超薄GeSe纳米片：从系统合成、载流子动力学研究到高性能紫外-可见光探测器应用

摘要： 由于具有优异的能带特性，黑磷（BP）类半导体硒化锗（GeSe）在光电器件应用中展现出良好潜力。本研究通过简便的液相剥离法（LPE）系统制备了厚度可控的超薄GeSe纳米片，其稳定性显著优于BP，在液态和常压环境下均表现良好。瞬态吸收光谱测试揭示了其超快载流子动力学特性?；贕eSe纳米片的光电探测器在紫外至可见光波段均呈现优异的光响应特性，具有高响应度和低暗电流。通过调节偏压、光照强度及电解液浓度可有效调控该器件的探测性能。本研究不仅阐明了GeSe纳米片基光电化学（PEC）器件的基础原理，也为其他半导体材料在PEC型光电探测器中的应用提供了指导。