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通过分子束外延法在图案化硅衬底上生长GeSn层
摘要： 已开发出一种借助锡辅助生长高质量GeSn合金条带的方法，在分子束外延（MBE）腔室中这些条带于Si(111)衬底上横向生长。透射电子显微镜（TEM）证实该GeSn异质外延条带具有良好的晶体质量且无穿透位错（TDs）。同时通过拉曼光谱和能量色散X射线光谱（EDS）研究了锡掺入锗的过程。此外，通过改变生长条件可调节GeSn条带的尺寸与密度，且锡浓度与外延温度呈近似线性关系?；舳饬肯允?，该GeSn合金条带在室温下的霍尔迁移率为336 cm2·V?1·s?1，载流子浓度为7.9×1012 cm?3。因此，该方法为硅基光电子和微电子应用提供了一种简便的高质量GeSn材料生长技术。
关键词： GeSn合金、微电子学、光子学、分子束外延、硅衬底
更新于2025-09-11 14:15:04
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基于第四族材料异质结光电晶体管在光纤通信网络中的噪声分析
摘要： 本文对不同锡组分和基区掺杂浓度下基于Ge1?xSnx合金的异质结光电晶体管（HPT）的噪声特性与光谱响应度进行了分析研究。该结构由通过锗虚拟衬底赝形生长于硅衬底上的n-Ge/p-Ge1?xSnx层构成，兼容互补金属氧化物半导体技术。合金在基区的高吸收系数显著提升了高频区域的信噪比，从而实现了光纤通信窗口C波段和L波段的高效光电探测。通过对比锗锡HPT的理论研究结果与现有III-V族化合物基HPT的数据，评估了锗锡基HPT能否成为良好替代方案。
关键词： GeSn合金、吸收系数、光谱响应度、异质结光电晶体管、信噪比
更新于2025-09-09 09:28:46