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具有高电子迁移率的1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六腈（HAT-CN）传输层，用于厚有机发光二极管
摘要： 在我们之前的论文[T. Matsushima等，《自然》572卷502页(2019年)]中，当1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六氰基(HAT-CN)传输层厚度从数十纳米增加到1微米时，有机发光二极管(OLED)的电流密度并未显著下降。为阐明这一机制，我们针对HAT-CN与其他有机层的电子转移及HAT-CN的电子迁移率开展了多项实验。最终发现真空蒸镀的HAT-CN层具有极高电子迁移率，因此使用HAT-CN传输层能在厚膜OLED中抑制电流密度下降。通过空间电荷限制电流模型分析测得，真空沉积HAT-CN层的电子迁移率为0.1-1 cm2 V?1 s?1。尽管HAT-CN层呈类非晶态，该迁移率仍远高于OLED常用传统有机传输层(<10?3 cm2 V?1 s?1)。我们认为这种超高迁移率的成因之一是：衬底上水平取向的HAT-CN分子使π轨道沿衬底法线方向产生更优重叠。
关键词： 传输层、厚有机发光二极管、HAT-CN、OLED、电子迁移率
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过采用双空穴注入层提升LARP法合成CsPbBr<sub>3</sub>纳米晶LED的性能
摘要： 卤化铅钙钛矿因其优异性能被视为光电子应用的有前景材料。通过低成本简便的配体辅助再沉淀法（LARP），合成了具有窄粒径分布和窄发射光谱的CsPbBr3纳米晶（NCs）。在倒置结构CsPbBr3 NC发光二极管中，引入1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六氰基（HAT-CN）/MoO3双空穴注入层（HIL）以增强空穴注入与传输——HAT-CN能高效从空穴传输层提取电子并在该层留下大量空穴。采用双HIL的优化器件其电流效率与功率效率较单HIL器件分别提升1.5倍和1.8倍。研究表明该双HAT-CN/MoO3 HIL能有效促进空穴注入，有望应用于多种其他器件。
关键词： 配体辅助再沉淀法、光电器件应用、卤化铅钙钛矿、CsPbBr3纳米晶体、双空穴注入层、HAT-CN/MoO3
更新于2025-09-23 15:21:01
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[IEEE 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - 日本京都 (2019.7.2-2019.7.5)] 2019年第26届有源矩阵平板显示与器件国际研讨会(AM-FPD) - OLED滚降现象与载流子注入的关联性
摘要： 在有机发光二极管（OLED）中，EL效率-电流密度特性曲线出现了效率滚降现象。虽然采用HAT-CN的倒置OLED的EL效率比采用MoOx的倒置OLED高1.5-2倍，但前者最大EL效率出现在更高电流密度下。此外，与传统OLED相比，倒置OLED的最大EL效率出现后效率下降更为迅速。研究认为这种滚降现象与载流子注入有关。
关键词： 载流子注入、HAT-CN、滚降现象、OLED、发光效率、MoOx
更新于2025-09-12 10:27:22