采用溅射法制备的In-Al-Zn-O沟道及不同源/漏电极的高性能薄膜晶体管

摘要： 基于溅射制备的In-Al-Zn-O（IAZO）沟道层的高性能薄膜晶体管（TFTs）展现出优异光电特性，其结构与性能经表征验证。退火前后IAZO薄膜均保持非晶态且表面粗糙度较低。退火后霍尔迁移率从27.1提升至74.2 cm2/Vs。未退火与退火处理的IAZO薄膜在可见光范围内平均透过率均超过95%，光学带隙约4.1 eV。通过UPS测量推导出退火前后IAZO薄膜的能级图。采用金电极的IAZO TFT获得20.57 cm2/Vs的高场效应迁移率、4.02×10?的高开关电流比（Ion/Ioff）及0.55 V/dec的亚阈值摆幅（SS）。相比之下，钛电极TFT虽迁移率较低（9.54 cm2/Vs），但具有更高的7.39×10?开关电流比、更低的亚阈值摆幅及显著减小的迟滞效应。