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oe1(光电查) - 科学论文

27 条数据
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  • P-1.15：一种适用于采用a-IGZO TFT和a-Si:H PIN二极管的AMOLED显示器的新光学补偿方案

    摘要： 本文提出了一种基于像素内传感器单元的AMOLED显示器新型光学补偿方案。该传感器单元包含：采用低关态电流特性的a-IGZO TFT作为开关元件、利用高光电导增益特性的a-Si:H PIN二极管作为光学传感器，以及用于电荷存储的电容器。由于不同亮度下关态电流存在显著差异，通过PIN传感器可获取每个像素的亮度值，进而相应调整数据电压。该方案应用于5英寸AMOLED显示器后，结果表明该方法能精确捕捉像素亮度，并有效补偿低灰阶下的亮度均匀性。

    关键词： IGZO TFT、光学补偿、a-Si:H PIN二极管

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • In2O3-ZnGa2O4纳米复合材料的水热合成与表征及其在IGZO陶瓷中的应用

    摘要： 通过水热法，采用等摩尔比（In:Ga:Zn=1:1:1）的硝酸铟、硝酸镓和硝酸锌混合溶液，并以氨水作为沉淀剂，成功合成了多晶In2O3-ZnGa2O4纳米复合材料。研究了水热温度及混合溶液pH值对纳米复合材料性能的影响。分别采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对制备的In2O3-ZnGa2O4纳米复合材料的微观结构进行了表征，并初步探讨了其生长机理。结果表明：由该纳米复合材料制备的IGZO陶瓷具有99.5%的高相对密度和1.2 mΩ·cm的低电阻率，可用于制备高性能IGZO薄膜。

    关键词： 纳米复合材料，IGZO，晶体结构，陶瓷

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [第48届IEEE欧洲固态器件研究会议（ESSDERC 2018）- 德累斯顿（2018年9月3日至2018年9月6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC）- 在聚酰亚胺柔性基板上制备的单晶体管-单阻变存储器单片集成非易失性存储单元

    摘要： 本文介绍了一种基于非晶InGaZnO柔性薄膜晶体管技术的单晶体管-单阻变存储器（1T1R）集成单元。该存储单元的两个元件以单片方式并排集成在柔性聚酰亚胺衬底上。该薄膜晶体管技术展现出良好的均匀性指标，最小沟道长度为5微米。非易失性存储技术采用TaOx作为阻变随机存取存储器的材料。该可扩展的集成存储器件尺寸为5×5微米2，实现了7.76的存储窗口。

    关键词： IGZO、金属氧化物、柔性、RRAM、存储器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 30.3：全球首款采用BCE-IGZO结构与GOA设计的85英寸8K4K 120Hz液晶显示器原型机

    摘要： 我们成功研发了一款85英寸、120Hz驱动的8K4K VA液晶显示屏，首次在全球范围内将BCE IGZO技术应用于GOA电路，实现了超高清分辨率与超高刷新率。

    关键词： BCE IGZO、GOA技术、120Hz刷新率、8K4K分辨率、85英寸、LCD液晶显示屏

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 基于静电荷等离子体的无掺杂IGZO垂直纳米线场效应管用于氨气传感的设计与分析

    摘要： 本文设计了一种无掺杂全包围栅极（GAA）垂直纳米线场效应晶体管（VNWFET），采用人工材料氧化铟镓锌（IGZO）作为沟道材料。与更传统的非晶半导体相比，IGZO沟道具有更高的电子迁移率。在VNWFET中，由于沟道长度（Lch）是垂直方向的特征参数，因此可以在不增加芯片面积的情况下放宽限制，这同时也允许在保持最佳短沟道效应控制的同时适当放宽纳米线直径的限制。采用静电荷等离子体技术在IGZO本征体上形成源漏区：在源端通过选择金属电极的适当功函数形成N+区，在漏端则通过对金属电极施加偏压形成N+区。本文提出一种基于催化金属栅极的无掺杂N+沟道VNWFET用于氨气检测，选用钴、钼和钌作为栅极电极材料——因其对氨气具有高反应活性，并比较了器件在气体吸附时的导通/截止灵敏度。当栅极存在气体时，栅极金属的功函数会发生变化，进而改变截止电流（IOFF）、导通电流（ION）和阈值电压（Vth）这些氨气分子检测的灵敏度参数。通过改变器件尺寸参数（半径和长度）及介电材料来检验灵敏度变化，结果表明：当栅极催化金属功函数变化幅度为50、100、150、200meV和250meV时，器件灵敏度随之提升。

    关键词： 垂直纳米线场效应晶体管（VNWFET）、氧化铟镓锌（IGZO）、静电荷等离子体（E-CP）、氨气传感器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过PCBM中间层增强钙钛矿-InGaZnO光电晶体管的探测率并抑制暗电流

    摘要： 基于InGaZnO（IGZO）金属氧化物薄膜晶体管（TFT）与钙钛矿（MAPbI3）等光吸收覆盖层构建的混合光电晶体管，是开发先进X射线和紫外平板成像仪的极具前景的低成本器件。然而研究发现，MAPbI3的引入会在制备过程中不可避免地损伤IGZO沟道层，导致TFT特性恶化（如关态电流上升和阈值电压漂移）。本文报道通过在图案化MAPbI3与IGZO之间插入PCBM或PCBM:PMMA中间层来提升钙钛矿-IGZO光电晶体管性能的有效方法。该中间层能有效防止钙钛矿制备工艺对IGZO的损伤，同时确保高效的光电荷转移。采用此结构，我们实现了具有高探测率（1.35×1012琼斯）的钙钛矿-IGZO光电晶体管，在暗态下关态漏电流被抑制至约10皮安。本研究指出了界面工程对于实现高性能可靠异质结光电晶体管的重要性。

    关键词： IGZO（铟镓锌氧化物）、中间层、光电晶体管、钙钛矿、光电探测器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • ?？榛狈侄嗦犯从闷鳎焊咝奖碚鞫喔鲅分械目焖儆肼偎蔡?

    摘要： 介绍了一种?？榛狈指从茫∕TDM）装置，该装置能够并行测量多个样品的快慢衰减瞬态过程，时间尺度覆盖从毫秒到数月范围。其实现原理是：在瞬态过程初期使用单台高速测量仪器进行快速数据采集，在后期瞬态过程中通过复用第二台低速测量仪器并行采集多个样品的慢速数据。MTDM作为高层级设计概念，理论上可测量任意数量样品；本文实现的低成本方案能并行测量多达16个样品长达数月，可将整体集合测量时长和设备使用量降低达一个数量级而不损失精度。该装置成功演示了同时测量三种非晶铟镓锌氧化物薄膜光电导率的过程——对快变瞬态保持20毫秒数据分辨率，且连续并行运行超过20天。MTDM在诸多研究领域具有应用潜力，这些领域呈现跨越多个数量级的响应时间特征，例如光伏材料、可充电电池、硅及非晶铟镓锌氧化物等非晶半导体材料。

    关键词： 快慢瞬态、a-IGZO、MTDM、?？榛狈指从闷?、非晶铟镓锌氧化物、并行测量、光电导率

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 中国杭州(2018.8.13-2018.8.17)] 2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 基于IGZO薄膜晶体管的全摆幅逆变器用于柔性电路

    摘要： 非晶氧化物半导体（AOS）具有高迁移率和可靠的稳定性，尤其是铟镓锌氧化物（IGZO）。它是最有前途的材料，有望在不久的将来应用于显示器和集成电路的制造。特别是IGZO薄膜晶体管（TFT）凭借其电学和柔性特性优势，受到了广泛关注。在我们的工作中，IGZO TFT是在180°C的温度下制备在羟基化聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底上的，该温度明显低于传统工艺。IGZO TFT的实验性能表明，其迁移率和开关比分别高达8 cm2V?1s?1和10?。此外，基于IGZO TFT的反相器已在PET衬底上实现，其增益达到-20，显示出基于氧化物TFT的柔性逻辑电路的潜力。

    关键词： IGZO TFT，柔性，反相器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议（EDSSC）- 深圳（2018.6.6-2018.6.8）] 2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议（EDSSC）- 双栅铟镓锌氧薄膜晶体管中的动态阈值电压调制：有源层厚度的影响

    摘要： 我们研究了有源层厚度对双栅极（DG）非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（TFTs）动态阈值电压（VTH）工作的影响。研究发现，在80纳米a-IGZO层中，通过将顶栅（TG）偏压从负向正调节时，底栅（BG）扫描的TFTs显示出VTH随TG偏压变化呈现两种线性关系，且亚阈值摆幅（SS）随不同TG偏压而变化。相比之下，在较薄的（20纳米）a-IGZO层中，BG扫描TFTs的VTH以单一斜率线性调制，且未观察到明显的SS变化。

    关键词： 薄膜晶体管（TFTs）、非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）、双栅极

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 具有纳米级相分离绝缘层的氧化物-聚合物异质结二极管

    摘要： 有机半导体-绝缘体共混薄膜因其独特的相分离和自组装现象，在关键器件界面处展现出高性能电子器件的广泛应用前景。本研究首次报道了基于p型聚(3-己基噻吩)(P3HT)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混物与n型铟镓锌氧化物(IGZO)形成的p-n结高性能混合二极管。我们系统分析了不同PMMA含量的P3HT薄膜的薄膜形貌、微观结构及垂直相分离行为。微观结构与电荷传输评估表明，聚合物绝缘组分对P3HT薄膜的形貌、分子取向及有效共轭长度产生积极影响，从而提升异质结性能。此外，数据表明PMMA相分离在P3HT与IGZO层间形成了连续的纳米级中间层，这对增强二极管性能具有重要作用。因此，基于最优P3HT-PMMA共混物的二极管展现出正向电流较纯P3HT二极管显著提升10倍，理想因子低至2.5，同时具有适中的有效势垒高度和优异整流比。这些结果为低成本、大面积有机电子技术的简化制造提供了新途径。

    关键词： 有效势垒高度、理想因子、IGZO（铟镓锌氧化物）、P3HT（聚3-己基噻吩）、混合二极管、有机半导体/绝缘体共混物

    更新于2025-09-09 09:28:46