抛物线型量子阱发光二极管中的电子-空穴重叠情况远优于矩形量子阱，甚至优于交错量子阱。

摘要： InxGa1?xN/GaN量子阱（QW）LED中强压电场会使电子与空穴发生空间分离，从而降低发光效率。为改善性能，研究者们探究了多种形貌与组分的此类量子阱。我们通过薛定谔方程与泊松方程的自洽求解，研究了抛物线型量子阱（PQW）的跃迁能（TE）、电子与空穴波函数重叠度、能带结构及电场分布。通过改变PQW形貌、组分及掺杂浓度，其电子-空穴波函数重叠度的平方（即跃迁概率TP）较矩形量子阱显著提升，甚至高于对称阶梯型量子阱。在相同跃迁能下，特定电流密度时PQW的跃迁概率比矩形量子阱提高两倍以上。研究显现出量子阱LED的重要特性：跃迁能随电流密度增加的变化幅度被最小化。我们将详细阐述简要理论、计算流程与结果，并进行适当讨论。