GaN盖层对垂直耦合InGaN/GaN量子点的载流子占据及带间跃迁概率的影响

摘要： 研究了纤锌矿(WZ)耦合InGaN/GaN量子点(QDs)的载流子占据和带间跃迁概率随量子点间距d(30-70?范围内)的变化关系。发光强度随间距d增大而快速下降，在d≈50?时达到最小值。这可解释为：由于内建电场增强，矩阵元数值随d增大显著减??；同时准费米能级间距在d=50?时呈现最小值。但当d超过50?后，由于准费米能级间距随d增大而增加，光强开始略有回升。这些结果可作为高效量子点光电器件有源区设计的指导依据。