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不同生长速率下生长的隧道结对InGaP/GaAs双结太阳能电池光学特性及效率提升的影响
摘要： 采用金属有机化学气相沉积法生长的InGaP/GaAs双结太阳能电池（DJSCs）的光学特性通过变温与激发功率依赖的光致发光（PL）测试进行了研究。所分析的InGaP/GaAs DJSC样品具有相同结构，但对应的隧穿结生长速率不同（分别为1.0和1.5 ?/s）。10K温度下测量的两种样品PL光谱均显示~1.97 eV处存在强主峰，以及~1.94 eV处的弱肩峰，分别对应无序与有序InGaP的发射。低激发功率下观察到~1.91 eV处的PL峰，源自施主-受主对（DAP）跃迁。随着温度升高，生长速率为1.0 ?/s的样品中与DAP相关的发射相比1.5 ?/s样品的占比降低。由于缺陷态更少，生长速率为1.0 ?/s的样品功率转换效率较1.5 ?/s样品有所提升。本研究有助于理解InGaP/GaAs DJSCs的发光特性，这对制备高效太阳能电池具有重要价值。
关键词： InGaP/GaAs，生长速率，光致发光，双结太阳能电池
更新于2025-09-23 15:19:57
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电流失配条件下InGaP/GaAs双结太阳能电池的光致发光特性
摘要： 电流失配是影响多结太阳能电池转换效率的关键因素。本文发现了一种直观现象用于判别InGaP/GaAs双结太阳能电池是否发生电流失配：当第一光源入射功率较高时，该器件在短路状态下于多源太阳模拟器照射下会发出红光。此外，采用两种不同激光器时也观察到类似光致发光特性。这些结果表明，光致发光现象是识别多结太阳能电池电流失配的简便方法。
关键词： 双结太阳能电池、光致发光、电流失配、InGaP/GaAs
更新于2025-09-11 14:15:04
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[IEEE 2019年国际发电系统与可再生能源技术会议(PGSRET) - 土耳其伊斯坦布尔(2019.8.26-2019.8.27)] 2019年国际发电系统与可再生能源技术会议(PGSRET) - 多结太阳能电池中(GaAs/GaAs)与(InGaP/GaAs)隧道结的性能比较
摘要： 本研究对比了两种多结太阳能电池在模拟短路电流密度、开路电压、效率和填充因子方面的性能，其中一种电池采用带GaAs/GaAs结隧道的InGaP/GaAs结构，另一种采用相同结构但使用InGaP/GaAs异质结隧道。通过Silvaco-TCAD软件分析研究了这两种太阳能电池的性能，顶部电池（GaInP）总厚度设定为0.66μm，底部电池（GaAs）厚度为2.64μm，隧道结厚度为0.040μm。模拟结果表明，通过选择p-In0.5Ga0.5P/n-GaAs异质结隧道，这两种多结太阳能电池可获得最高24.2343%（AM1.5）的转换效率。
关键词： Silvaco-TIcad、隧道结、转换效率、InGaP/GaAs、多结太阳能电池
更新于2025-09-11 14:15:04