通过抑制不同喷雾沉积温度下制备的SnO?纳米晶薄膜中氧空位密度实现可控光电特性及光敏性的突变

摘要： 采用改进化学喷雾热解法(MCSP)在不同基底温度下合成了纳米结构SnO2薄膜。X射线衍射(XRD)图谱证实所有薄膜样品均呈现四方相金红石型SnO2结构。XRD结果表明：随着喷雾沉积温度升高，晶粒生长速率加快，结晶度显著提升。光学光谱分析显示可见光区透光率随沉积温度升高而明显提高，同时光学带隙显著增大。但吸收系数谱分布证实SnO2薄膜样品以直接允许跃迁为主导。电流-电压特性曲线分析表明喷雾沉积温度变化对薄膜样品的光敏性具有显著影响。电学测试结果显示：在整个研究工作温度范围内，这些薄膜样品均呈现半导体传输特性，且存在两种不同的导电机制。综合光学与电学测试结果，评估了沉积温度变化对SnO2薄膜样品品质因数(FOM)的影响。