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[2018年IEEE国际电子、计算与通信技术会议(CONECCT) - 班加罗尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018年IEEE国际电子、计算与通信技术会议(CONECCT) - 采用高压氧化铝作为栅极介质的AlInN/GaN MIS-HEMTs
摘要： 本文研究了一种以高压氧化铝为栅极介质的AlInN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）。与在同一衬底上制备的参考HEMT器件相比，所制备的MIS-HEMT在反向偏压下栅极漏电流降低了六个数量级以上，在正向偏压下降低了三个数量级以上。由于MIS-HEMT的栅极摆幅得到改善，其最大漏极电流达到了750 mA/mm。与HEMT器件相比，MIS-HEMT器件在亚阈值斜率和ID,ON/ID,OFF比方面也显示出显著提升。
关键词： 栅极漏电流、MIS-HEMT、高压氧化、AlInN/GaN、HEMT、Al2O3
更新于2025-09-23 15:23:52
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[2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 中国深圳(2018.6.6-2018.6.8)] 2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 增强型与耗尽型AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体(MIS)-高电子迁移率晶体管中瞬态阈值电压漂移的表征
摘要： 采用原子层沉积（ALD）工艺以Al?O?作为栅介质，分别制备了增强型和耗尽型AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）。针对AlGaN/GaN MIS-HEMT中普遍存在的阈值电压迟滞问题，通过直流I-V测试和快速瞬态频率相关C-V测量对阈值电压偏移量ΔVth进行表征，从而系统研究其内在机理。实验结果表明：尽管静态和CV测试中ΔVth值较低（0.42V），但在瞬态I-V测试中当VG,max=5V时ΔVth可高达1.0V，这对AlGaN/GaN MIS-HEMT用于高压开关应用具有重要影响。此外，多频C-V测试显示主要ΔVth与频率无关，但第二阶段电压偏移（ΔV2）呈现明显频率依赖性。这些结果暗示：慢速（深能级）Al?O?界面陷阱可能是导致ΔV1迟滞的机理，而快速（浅能级）界面陷阱则对应ΔV2现象。
关键词： AlGaN/GaN MIS-HEMT、Al2O3/III-N界面陷阱（快态与慢态）及阈值电压迟滞效应。
更新于2025-09-23 15:21:21
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适用于5G移动设备的氮化镓MIS-HEMT功率放大器单片微波集成电路
摘要： 随着各类移动系统数据传输速率的提升，对5G无线通信系统的需求也相应增长。为提高数据传输速率，韩国提出的全球标准高频段之一——28GHz被选用于5G系统。虽然基于氮化镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）因其适用于高输出功率放大器而成为5G网络应用极具前景的候选器件，但典型氮化镓HEMT仅能在?？刺鹿ぷ?。然而，要实现5G系统移动终端的成功运行，需要能在正栅极偏压下工作的常关器件，这不仅能降低电路复杂度和系统成本，还可应用于数字电路领域。为实现正栅极偏压工作，我们采用ETRI氮化镓MIS-HEMT工艺制备了金属-绝缘体-半导体（MIS）-HEMT器件。通过设计制造MIS-HEMT并测试其性能，除采用栅极凹槽技术外，我们还使用Al2O3栅极绝缘层来调节氮化镓MIS-HEMT的阈值电压。为5G移动终端设计的功率放大器（PA）单片微波集成电路（MMIC）在正栅极偏压下工作，在26和28GHz频段展现出29.5dBm的最大输出功率、11dB的功率增益以及11%的功率附加效率（PAE）。
关键词： Ka波段、MIS-HEMT、移动手机、功率放大器、氮化镓、5G、增强型模式
更新于2025-09-23 21:42:18