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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 1.2kV 4H-SiC MOSFET与JBSFET的新型短路失效机制
摘要： 电力器件的短路（SC-SOA）能力对电力系统至关重要。本文对1.2kV碳化硅MOSFET和JBSFET进行特性分析，测试并研究了它们的短路安全工作区表现。研究发现，尽管集成了肖特基接触，但由于饱和漏极电流更低，JBSFET相比MOSFET具有更优的短路安全工作区?；诜堑任耇CAD数值模拟（辅以能量色散X射线光谱仪EDS分析的失效芯片SEM检测），本文提出了一种与顶部铝金属层熔化相关的新短路失效机制。
关键词： JBSFET、鲁棒性、MOSFET、可靠性、碳化硅、4H-SiC、失效机理、短路、坚固性
更新于2025-09-04 15:30:14
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[2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 美国加利福尼亚州圣地亚哥（2018.10.15-2018.10.17）] 2018年IEEE BiCMOS与化合物半导体集成电路及技术研讨会（BCICTS） - 采用55纳米CMOS工艺节点、具有离子注入集电极的450 GHz f<sub>T</sub> SiGe:C异质结双极晶体管
摘要： 本文研究了一种具有注入集电极和DPSA-SEG发射极-基极结构的Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的优化设计。重点分析了砷和磷两种掺杂剂，一方面评估了硅缺陷与掺杂分布的控制效果，另一方面展示了高频性能。同时研究了碳-磷共注入技术，并通过器件版图优化，研制出与55纳米MOSFET工艺兼容、截止频率fT达450 GHz的先进HBT器件。
关键词： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、注入集电极、异质结双极晶体管（HBT）、硅缺陷
更新于2025-09-04 15:30:14
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基于原子层沉积Al2O3的二维空穴气金刚石MOSFET在饱和速度下运行时功率密度达3.8 W/mm
摘要： 本文报道了在IIa型多晶金刚石衬底（(110)择优表面）上采用100纳米厚原子层沉积（ALD）Al2O3薄膜的0.5微米栅极金刚石二维空穴气（2DHG）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在高漏极电压（VDS）达60V时的大信号性能。该金刚石场效应晶体管展示了31GHz的截止频率（fT），首次证明其载流子速度达到1.0×10^7 cm/s。此外，在VDS=-60V时获得24GHz的fT，从而实现1.44 THz·V的fT×VDS乘积。该金刚石场效应晶体管有望作为高压条件下的高频晶体管使用。在1GHz下采用负载牵引系统、偏置电压VDS=-50V时，获得最高3.8 W/mm的输出功率密度（金刚石中最高），相关增益和功率附加效率分别为11.6 dB和23.1%。
关键词： 高频，金刚石，输出功率，高压，MOSFET
更新于2025-09-04 15:30:14