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一步法合成厘米级单晶α-三氧化钼
摘要： 通过采用便捷的物理气相沉积工艺，我们开发出一种简单且低成本的合成路线，成功制备出具有单晶特性和显著尺寸（大于10毫米×10平方毫米）的高质量正交相三氧化钼晶体。结合原子力显微镜、X射线光电子能谱、同步辐射X射线衍射和拉曼光谱等多种表征技术，从电子结构和物理结构两个层面证实了α-MoO3晶体的高品质。与文献中先前报道的方法相比，本研究展示了一种仅需三氧化钼粉末的极简化一步合成法。最终测试的电致变色性能显示出高透光率和优异的光学特性，这可能拓展三氧化钼单晶在纳米传感器、纳米电子学等领域的潜在应用。
关键词： 广角X射线衍射（GIXRD）、X射线光电子能谱（XPS）、单晶性、物理气相沉积（PVD）、三氧化钼（α-MoO3）
更新于2025-11-21 11:24:58
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通过采用双空穴注入层提升LARP法合成CsPbBr<sub>3</sub>纳米晶LED的性能
摘要： 卤化铅钙钛矿因其优异性能被视为光电子应用的有前景材料。通过低成本简便的配体辅助再沉淀法（LARP），合成了具有窄粒径分布和窄发射光谱的CsPbBr3纳米晶（NCs）。在倒置结构CsPbBr3 NC发光二极管中，引入1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六氰基（HAT-CN）/MoO3双空穴注入层（HIL）以增强空穴注入与传输——HAT-CN能高效从空穴传输层提取电子并在该层留下大量空穴。采用双HIL的优化器件其电流效率与功率效率较单HIL器件分别提升1.5倍和1.8倍。研究表明该双HAT-CN/MoO3 HIL能有效促进空穴注入，有望应用于多种其他器件。
关键词： 配体辅助再沉淀法、光电器件应用、卤化铅钙钛矿、CsPbBr3纳米晶体、双空穴注入层、HAT-CN/MoO3
更新于2025-09-23 15:21:01
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AIP会议录 [AIP出版 国际先进材料会议论文集：ICAM 2019 - 印度喀拉拉邦（2019年6月12-14日）] 国际先进材料会议论文集：ICAM 2019 - 基于空间电荷限制电流法测量P3HT基光伏电池的空穴迁移率
摘要： 载流子迁移率是表征任何半导体材料的关键参数之一，对有机半导体同样重要。与无机半导体相比，有机半导体的迁移率仍低得多，因此改进其迁移率的尝试具有重大意义。本文采用两种不同阳极缓冲层（PEDOT:PSS和MoO3）研究了体异质结有机光伏电池中正电荷载流子的传输特性。通过空间电荷限制电流法计算并比较了空穴迁移率值。以PEDOT:PSS和MoO3作为空穴传输层时测得的迁移率分别为1.043×10?? cm2 V?1 S?1和1.357×10?? cm2 V?1 S?1。结果表明，具有更高载流子迁移率的器件表现出更优性能。
关键词： PEDOT:PSS、空穴迁移率、空间电荷限制电流、MoO3、光伏电池、P3HT
更新于2025-09-12 10:27:22
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采用MoO?/PEDOT:PSS作为双空穴注入层的高效明亮磷光有机发光二极管
摘要： 研究表明，在氧化铟锡（ITO）基底上采用氧化钼（MoO3）/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）作为双空穴注入层（HILs），可实现磷光有机发光二极管（PHOLEDs）的高效率与高亮度。该双空穴注入层通过真空热蒸镀沉积薄层MoO3后旋涂PEDOT:PSS溶液简单制备而成。本工作揭示MoO3上的PEDOT:PSS涂层能形成更平整表面，同时MoO3层状结构可防止PEDOT:PSS在ITO上发生酸腐蚀。此外，在阳极与空穴传输层（HTL）之间插入PEDOT:PSS和MoO3作为空穴注入层，降低了能垒并实现了有效空穴注入。采用双空穴注入层的OLED器件实现了61.3 cd A?1的最大电流效率（CE）和112200 cd cm?2的最高亮度，其性能显著优于仅使用PEDOT:PSS或MoO3单层空穴注入层的器件。实验证明PEDOT:PSS与MoO3的复合空穴注入层结构有利于提升OLED器件性能。
关键词： PEDOT:PSS、MoO3，双空穴注入层
更新于2025-09-12 10:27:22