CdS-CIGS界面构型对Cu(In,Ga)Se2太阳能电池性能影响的数值分析

摘要： 采用一维太阳能电池模拟软件包（SCAPS）分析了CdS-CIGS界面构型对CIGS太阳能电池性能的影响。我们模拟了两种电池模型的电流-电压特性：一种在CdS-CIGS界面具有施主型缺陷（OVC模型），另一种具有受主型缺陷（P+模型）。根据这些CIGS表面构型的厚度、缺陷密度和载流子寿命，讨论了它们对电学参数的优缺点。模拟结果表明，当P+层厚度和缺陷密度增加时，由于J-V特性出现严重畸变，该模型性能较差。另一方面，OVC层对CIGS太阳能电池的性能起着关键作用。当施主缺陷密度在10^13 - 10^15 cm^-3范围内、载流子寿命在0.02 - 1 ns范围内、OVC层厚度在200 - 400 nm范围内时，OVC模型可获得更优性能。