标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
1.2千伏4H-SiC OCTFET：一种具有改进高频优值的新单元拓扑结构
摘要： 首次提出并实验验证了一款额定电压1.2 kV、采用八边形单元拓扑结构的4H-SiC OCTFET器件。该器件首先通过TCAD数值仿真进行优化，随后在6英寸晶圆厂成功制备。实测电学特性表明，与常规线性单元MOSFET相比，该OCTFET的高频优值[导通电阻×栅漏电荷]提升1.4倍，高频优值[导通电阻×栅漏电容]提升2.1倍。
关键词： 碳化硅，全部，八角形，Qgd，高频优值，单元，Cgd，MOSFET，4H-SiC
更新于2025-09-23 15:23:52