- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
[2019年IEEE国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 加拿大安大略省渥太华(2019年7月8日-12日)] 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 基于氮化镓的超辐射发光二极管能效分析
摘要： 基于氮化镓的超辐射发光二极管（SLED）是增强或虚拟现实设备及其他应用的理想光源。然而，SLED的能效仍远低于LED和激光二极管所报道的峰值水平。本文利用先进的数值器件模拟技术，研究了导致SLED效率低下的内部物理过程。
关键词： 超发光二极管，氮化镓，SLED，效率
更新于2025-09-16 10:30:52
-
限制氮化镓基超辐射发光二极管（SLEDs）效率的因素是什么？
摘要： 基于氮化镓的表面发射激光二极管（SLED）是增强现实显示器等应用的理想光源。然而其电光功率转换效率（PCE）仍远低于LED器件的最高纪录值。本文通过先进数值器件模拟，探究了导致SLED低PCE的内部物理机制：与激光二极管类似，空穴导电性差会显著降低电效率；但与激光二极管不同的是，有源层载流子浓度升高被确认为引发严重限制内量子效率的俄歇复合效应主因。研究同时提出了设计改进方案。
关键词： 超辐射发光二极管、俄歇复合、氮化铟镓/氮化镓、激光二极管、自加热、功率转换效率、超辐射发光二极管（SLED）、空穴导电性
更新于2025-09-12 10:27:22