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利用扫描光电流显微镜研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的电子能带排列
摘要： 采用紫外和可见光源的扫描光电流显微镜（SPCM）研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的能带排列。随着栅极偏压增大，导电沟道上的SPCM极性呈现出从p型响应到n型响应的转变行为。高于直流开启电压的平带电压表明，已形成用于电子传输的欧姆金属接触。我们测得导带与金属费米能级之间的能带偏移量，其平均值为2.1电子伏特。
关键词： SPCM、氮化镓、二维电子气、高电子迁移率晶体管
更新于2025-09-23 15:23:52