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涡轮叶片气膜冷却孔的同轴水射流辅助激光钻孔技术
摘要： 采用532纳米Nd:YVO4纳秒激光在同轴水射流辅助环境下对镍基单晶涡轮叶片的气膜冷却孔(FCHs)进行加工。通过透射电子显微镜重点研究了FCHs侧壁的微观结构。随着水流量增加，FCHs周围热影响区(HAZ)的平均厚度逐渐减小。HAZ内的主要相组成从β-NiAl逐渐演变为β-NiAl+γ-Ni混合相，其中部分γ-Ni颗粒沿(111)晶面形成孪晶结构。当层流水流量≥3.1米/秒时，同轴水射流辅助激光加工的部分FCHs可完全避免HAZ产生；当水流量≥5.1米/秒时，FCHs周围不会出现包括HAZ、微裂纹及相变在内的任何加工缺陷。该工艺可制备表面质量优异的气膜冷却孔。最后探讨了水流介质对FCHs加工质量的影响机制。
关键词： 涡轮叶片，薄膜冷却孔，同轴水射流辅助激光钻孔，热影响区（HAZ），透射电子显微镜（TEM）
更新于2025-09-11 14:15:04
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利用傅里叶变换红外成像光谱技术研究缺血性脑卒中的生化改变——一项初步研究
摘要： 目的：脑损伤、长期残疾和死亡是缺血性中风的可怕后果。它会导致生化成分失衡，进而破坏大脑动力学。了解与中风相关的亚细胞改变有助于更深入地理解大脑可塑性和恢复的分子机制。目前常规检测中风后脂质和蛋白质生化变化的方法存在一定难度。傅里叶变换红外（FTIR）成像光谱技术凭借其高空间分辨率、准确性和灵敏度，可在亚细胞层面检测这些分子改变中发挥重要作用。本研究通过光血栓性缺血性中风大鼠模型，观察中风后九周半影区（PIZ，即未完全受损的邻近区域）和同侧病灶白质（WM，位于中风及PIZ区域正下方）的生化和分子变化。材料与方法：采用FTIR成像光谱技术和透射电子显微镜（TEM）检测脑组织样本，同时制备相邻切片的苏木精-伊红（H&E）染色图像用于对比观察中风后的形态学变化。结果：TEM结果显示缺血性中风后髓鞘断裂、细胞膜结构及完整性丧失。FTIR结果表明，与对侧半球相比，同侧PIZ和WM的总蛋白及总脂质含量降低。PIZ及邻近WM的脂质/蛋白质比值下降提示存在脂质过氧化现象，导致脂质链断裂和烯烃含量增加。PIZ中观察到蛋白质结构从无规卷曲和α-螺旋构象转变为β-折叠构象。结论：FTIR成像生物光谱技术能提供常规方法难以获取的亚细胞层面新型生化信息。结果表明基于抗氧化治疗的有效策略可通过清除脂质过氧化产物来减少和预防神经毒性，从而减轻慢性缺血期的组织损伤。FTIR成像生物光谱技术可作为研究中风及神经退行性疾病的强大工具并提供新思路。
关键词： 光血栓性中风，傅里叶变换红外（FTIR）成像光谱技术，透射电子显微镜（TEM），脑缺血
更新于2025-09-11 14:15:04
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SiO?基体中Ge纳米颗粒生长过程中的应力演变
摘要： 研究通过室温下多层磁控溅射沉积20组各2×4纳米厚的SiO2与SiO2:Ge双层结构，随后在500-750°C惰性氮气氛围中进行不同温度退火处理。采用掠入射小角/广角X射线散射、透射电子显微镜和（时间分辨）光致发光技术同步研究了退火引发的结构与光学性能变化，以及锗纳米颗粒从初始团簇形成、完全生长到最终溶解的全过程。结果表明：原始沉积态多层膜中已出现小尺寸团簇的聚集现象，且这些团簇在横向平面上具有良好关联性。当退火温度Ta≥550°C时，锗纳米颗?？夹纬伞臀陆锥伪３植糠址蔷?，约600°C时完全晶化；更高温度下纳米颗粒逐渐溶解，锗几乎完全扩散逸出，在二氧化硅基体中留下空位。样品检测到的可见光致发光源自纳米颗粒/基体界面层的缺陷而非纳米颗粒本身，因为即使纳米颗粒溶解后该发光现象仍持续存在。
关键词： 广角掠入射X射线散射（GIWAXS）、光致发光、锗纳米颗粒、小角掠入射X射线散射（GISAXS）、应力演化、二氧化硅基质、透射电子显微镜（TEM）
更新于2025-09-11 14:15:04
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2016年欧洲显微镜学大会论文集 || 纳米尺度激子与等离子体映射
摘要： 激子与等离激元相互作用理论（它们是太阳能电池、LED和半导体电路等器件中能量传递的主要机制）已被认知数十年。然而材料内部的光物理行为始终难以理解且无法直接观测。表面结构、局部厚度变化及边缘存在必然影响材料的宏观特性。要实现这些材料在实际应用中的全部潜力，关键在于纳米尺度上理解其局部表面结构与化学性质。因此需要从底层（即单个原子层面）全面表征物理化学性质，并在光电效应发生位置进行绘图。得益于近期技术进步，我们现在能够获取此前不可探测的低损耗电子能量损失谱（LL EEL）部分区域。正如Zhou和Dellby[1]所述，这为研究纳米材料开辟了新可能——不仅能以空前能量分辨率，还能突破体相光学技术的限制实现纳米级空间分辨率。尽管Tizei和Lin[2]近期在解析LL EEL特征物理起源方面取得显著进展，但我们对信号及其起源的理解仍存在重大空白。本研究首次结合实验性单色化LL STEM EEL光谱与含时密度泛函理论（TDDFT）及Bethe-Salpeter方程（BSE）的理论计算，在纳米尺度研究MoS2光学性质，旨在阐明完整LL EEL谱峰位及区域变化的起源。我们报道：通过单色化LL EELS（图1）在MoS2薄片上识别并解析出~1.88eV和~2.08eV的中带隙激子信号并进行绘图，其起源经BSE计算证实；同时结合LL EELS与TD DFT识别并绘制多个等离激元峰（图1）。此外，比较薄片边缘与内部区域（即层数增加时）发现LL EELS信号存在显著空间差异，这些差异主要可归因于束流几何效应。文中将讨论实验装置对低损耗EELS信号的影响。
关键词： STEM（扫描透射电子显微镜）、2D材料（二维材料）、MoS2（二硫化钼）、TEM（透射电子显微镜）、spectroscopy（光谱学）、Low loss EELS（低损耗电子能量损失谱）
更新于2025-09-10 09:29:36
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采用顶空薄膜微萃取与表面增强拉曼光谱法测定植物药中的亚硫酸盐
摘要： 开发了一种简便的顶空薄膜微萃?。℉S-TFME）结合表面增强拉曼光谱（SERS）的方法，用于测定中草药中的亚硫酸盐。通过化学液相沉积法在玻璃片上沉积海胆状ZnO微米颗粒制备萃取基底。在最优条件下，630-640 cm?1处SERS信号强度与25-400 mg/kg浓度范围内的亚硫酸盐呈良好线性关系，线性相关系数（R）为0.996，检测限为6 mg/kg。该方法用于中草药中亚硫酸盐的测定，结果经传统蒸馏-滴定法验证。因此，该HS-TFME-SERS方法可在中草药亚硫酸盐残留的快速、简易及选择性检测中发挥重要作用，有望成为多种固体样品中该分析物的通用检测方法。
关键词： 顶空薄膜微萃?。℉S-TFME）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、表面增强拉曼光谱（SERS）、透射电子显微镜（TEM）
更新于2025-09-10 09:29:36
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高度多孔SnO?和SnO?-Pd薄膜的定制化制备
摘要： 氧化锡是一种因多种技术应用而备受关注的材料。影响其性能的主要参数包括形貌、晶体结构和化学计量比。为调控这些参数，研究人员致力于开发符合技术应用需求的纳米结构薄膜。本文报道了高孔隙率SnO?及钯掺杂SnO?薄膜的制备与表征。这些薄膜以几何形态可控的纳米棒形式沉积，通过磁控溅射辅助掠角沉积（GLAD）技术实现了该形貌——该工艺可制备倾斜柱状体、锯齿结构、垂直立柱、螺旋柱及"灌木丛"状结构。经计算，所列薄膜中倾斜柱状体具有最大比表面积。随后我们系统沉积并深入研究了多组倾斜柱状体，重点探讨了薄膜沉积过程中基底退火处理与钯掺杂对其形貌、晶体结构和化学计量比的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）和同步辐射光电子能谱（SRPES）对氧化锡薄膜进行表征。磁控溅射辅助掠角沉积技术使我们能制备多种SnO?纳米结构，而沉积过程中的基底退火会影响薄膜结晶度。此外发现钯掺杂SnO?薄膜会形成合金相。这些研究成果可应用于气体传感、催化、光学及电子器件等多个领域。
关键词： XPS（X射线光电子能谱）、SRPES（同步辐射光电子能谱）、SnO?（二氧化锡）、tin oxide（氧化锡）、glancing angle deposition（掠射角沉积）、TEM（透射电子显微镜）、HRTEM（高分辨透射电子显微镜）、GLAD（掠射角沉积技术）、highly porous（高度多孔的）
更新于2025-09-10 09:29:36
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染料-金纳米星体系对MCF-7和A-549癌细胞的 photophysical 特性及体外细胞毒性研究
摘要： 本文利用吸收光谱、稳态发射光谱、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、动态光散射（DLS）、Zeta电位测量和傅里叶变换红外（FT-IR）光谱研究了吩噻嗪类染料（天青A（AZA）和硫堇（TH））与金纳米星（Au NSs）的相互作用。在染料存在下对Au NSs进行吸收光谱研究时，其表面等离子体共振带（SPR）出现轻微红移，表明染料吸附导致Au NSs表面发生变化。AZA-Au NSs和TH-Au NSs体系的吸收光谱研究中出现的减色效应及耦合局域表面等离子体共振（LSPR）带现象，揭示了吩噻嗪染料与Au NSs之间静电相互作用的关键作用。染料-Au NSs体系的稳态发射滴定实验结果表明，染料与Au NSs形成了基态复合物。此外，还研究了AZA、TH、AZA-Au NSs和TH-Au NSs复合物对乳腺癌（MCF-7）和A-549细胞系的细胞毒性活性。这些研究表明，AZA-Au NSs和TH-Au NSs复合物比吩噻嗪染料处理的细胞表现出更高的细胞毒性水平。
关键词： A-549和MCF-7细胞、金纳米星、劳氏紫、动态光散射（DLS）、天青A、高分辨透射电镜（HR TEM）
更新于2025-09-09 09:28:46
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掺铟Sb纳米线通过MOCVD生长用于高速相变存储器
摘要： 我们研究了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的汽液固（VLS）机制自组装而成的直径为（20-40）纳米的掺铟锑纳米线（NWs）的相变存储器（PCM）特性。实验证实了这些纳米线具有PCM行为，其复位功耗相对较低（约400微瓦），且相比标准锗锑碲基器件具有更快的开关速度。特别地，我们展示了通过短至25纳秒的电压脉冲即可实现可逆的置位与复位切换。该研究成果有助于理解PCM器件尺寸缩小的影响，并为探索新型PCM架构与材料提供了依据。
关键词： In-Sb纳米线、相变存储器、XRD、TEM、MOCVD
更新于2025-09-09 09:28:46
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阳离子交换法合成Au?S过程中阴离子亚晶格的转变（源自Cu???S纳米晶体）
摘要： 阳离子交换是一种多功能的后合成技术，通过保留阴离子亚晶格实现了亚稳态纳米晶的合成。本研究报道了利用Cu2-xS纳米晶进行阳离子交换制备亚稳态Au2S的机理细节。该转化过程需要阴离子亚晶格从Cu2-xS的六方密堆积（hcp）转变为Au2S的体心立方（bcc）结构，并伴随晶胞膨胀。配体环境对反应驱动力起关键作用：油胺的存在使转化可在室温下进行，而三辛基膦的加入则会抑制反应。通过对刻面纳米晶及部分阳离子交换纳米晶的透射电镜（TEM）研究，证实反应沿锥形晶面呈高度定向方式进行。鉴于XRD和TEM显示阳离子交换能产生高质量纳米晶，采用紫外-可见光谱（UV-Vis）和拉曼光谱表征了亚稳态Au2S纳米晶的光电性质。Tauc图分析显示其带隙为2.6 eV，并鉴定出265 cm-1和329 cm-1两个本征拉曼模。结合密度泛函理论（DFT）对结构、能带、光谱及声子谱的计算结果与实验数据，进一步深化了对Au2S纳米晶特性的认知。
关键词： X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、紫外-可见光谱（UV-Vis）、三辛基膦、纳米晶体、透射电子显微镜（TEM）、阳离子交换、密度泛函理论（DFT）、硫化亚铜（Cu2-xS）、阴离子亚晶格转变、硫化金（Au2S）、油胺
更新于2025-09-09 09:28:46
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退火对锡薄膜性能的影响
摘要： 本文研究了TiN薄膜的结构、吸收系数和电阻率。通过直流反应磁控溅射法，在平均沉积速率约8 nm/min的条件下，在Si(100)衬底上制备了厚度为240 nm的薄膜。沉积后样品分别在氮气环境和真空炉中于600°C退火1小时和700°C退火2小时。采用卢瑟福背散射谱(RBS)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行结构表征，用光谱椭偏仪研究光学特性，四探针法进行电学特性测试。研究发现，退火处理未改变薄膜化学计量比，但显著影响晶格常数、微应变和晶粒尺寸等结构参数。退火后晶粒尺寸增大导致吸收系数明显降低，这些变化与TiN薄膜电学性能的改变直接相关。
关键词： RBS（卢瑟福背散射）、退火、溅射、薄膜、XRD（X射线衍射）、氮化钛、TEM（透射电子显微镜）
更新于2025-09-09 09:28:46