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oe1(光电查) - 科学论文

30 条数据
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  • 低压柔性InGaZnO薄膜晶体管，采用溶液法制备的超薄AlxOy栅极

    摘要： 在塑料基板上制备了以溶液法加工的超薄AlxOy为栅极的氧化铟镓锌薄膜晶体管（TFT）。研究了弯曲对栅介质漏电流密度和电容密度的影响。该器件具有低于1V的低工作电压、高于10^5的高开关电流比以及小于90mV/dec的低亚阈值摆幅。即使弯曲至11mm曲率半径时，器件仍能保持高性能。因此，此类器件在低功耗柔性电子领域具有重要应用潜力。

    关键词： 1V操作、薄膜晶体管（TFT）、塑料基板、铟镓锌氧化物

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 24.1: <i>特邀论文：</i> 用于可弯曲和柔性显示器的柔性氧化物薄膜晶体管

    摘要： 本次演讲中，我们将介绍一种在塑料基板上采用分离式有源层与源漏电极结构的高稳定性、高性能E/S型a-IGZO薄膜晶体管。该晶体管展现出74 cm2/Vs的高迁移率，并在偏压应力和机械应力下表现出极佳的稳定性。其制备工艺与常规工艺完全相同，仅需调整设计即可实现。因此，该技术可用于塑料基板上柔性及可弯曲AMOLED器件的制造。

    关键词： 薄膜晶体管（TFT）、高迁移率、氧化物、分裂

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 基于双层栅介质的α-ITZO TFT数值模拟与优化

    摘要： 本研究利用SILVACO-ATLAS软件，通过数值模拟对底栅非晶铟锡锌氧化物薄膜晶体管（a-ITZO TFT）的性能进行了优化研究。优化过程聚焦于栅介质结构设计，具体包括介质层厚度、层数及材料选择。计算获得的电学特性参数包括：单位面积栅电容（Ci）、导通电流（Ion）、开关电流比（Ion/Ioff）、阈值电压（VT）、场效应迁移率（IFE）、亚阈值摆幅（SS）以及a-ITZO沟道电阻率（q）。结果表明：在相同物理厚度条件下，采用双层介质（SiO2/HfO2）且总厚度较大（BDT=70 nm）时，其电学响应性能优于单层介质TFT。最终优化获得的参数为：Ci=3.45×10?? F/cm2，Ion=4.12×10?? A，IFE=29.34 cm2·V?1·s?1，Ion/Ioff=4.67×10?，VT=-0.45 V，SS=6.42×10?2 V/dec，q=2.60×10?2 Ω·cm。

    关键词： Silvaco Atlas（西尔瓦科Atlas）、等效氧化层厚度、二氧化硅（SiO?）、非晶铟锡锌氧化物（a-ITZO）、二氧化铪（HfO?）、薄膜晶体管（TFT）、高介电常数材料（high-k）

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 适用于高分辨率应用的宽温工作薄膜晶体管液晶显示器阵列上的多输出单级栅极驱动器

    摘要： 一种用于高可靠性10.7英寸车载显示器的多输出（每级八路输出）氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管(TFT)栅极驱动器被提出。该驱动电路由一个SR控制器、八个带桥接TFT的驱动TFT（一级对应八路输出）组成。负责启动驱动TFT的SR控制器还能抑制非工作时段栅极线的噪声。连接在SR控制器与驱动TFT之间的桥接TFT采用宽度递减设计，可产生有利于耦合栅极电压的浮空状态，提升输出驱动能力，并实现高低温环境下一致的上升时间。此外，电路设计还采用75%重叠的8相时钟和双侧驱动方案，以确保充足的充电时间并降低各栅极线负载。寿命测试结果表明：所提出的720级栅极驱动器通过模拟极端温度范围测试（90°C和-40°C），实测在90°C下稳定运行超过800小时。该设计已成功应用于10.7英寸全高清(1080×RGB×1920)TFT液晶显示器(LCD)面板。

    关键词： 薄膜晶体管（TFT）、宽温、高可靠性、栅极驱动器、非晶硅（a-Si）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 采用跨导增强拓扑结构并与金属氧化物薄膜晶体管集成的新高增益运算放大器

    摘要： 本文提出了一种仅由n型金属氧化物薄膜晶体管（TFT）构成的集成运算放大器（OPAMP）。除在输入差分对中采用正反馈外，还应用了跨导增强拓扑结构来提升运放增益。该运放在15V供电电压下具有29.54dB的电压增益（Av），其3dB带宽（BW）为9.33kHz。单位增益频率、相位裕度及直流功耗（PDC）分别为180.2kHz、21.5°和5.07mW。

    关键词： 跨导增强拓扑结构、运算放大器、正反馈、金属氧化物薄膜晶体管（TFT）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 中国杭州(2018.8.13-2018.8.17)] 2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 基于IGZO薄膜晶体管的全摆幅逆变器用于柔性电路

    摘要： 非晶氧化物半导体（AOS）具有高迁移率和可靠的稳定性，尤其是铟镓锌氧化物（IGZO）。它是最有前途的材料，有望在不久的将来应用于显示器和集成电路的制造。特别是IGZO薄膜晶体管（TFT）凭借其电学和柔性特性优势，受到了广泛关注。在我们的工作中，IGZO TFT是在180°C的温度下制备在羟基化聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底上的，该温度明显低于传统工艺。IGZO TFT的实验性能表明，其迁移率和开关比分别高达8 cm2V?1s?1和10?。此外，基于IGZO TFT的反相器已在PET衬底上实现，其增益达到-20，显示出基于氧化物TFT的柔性逻辑电路的潜力。

    关键词： IGZO TFT，柔性，反相器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 21.1: <i>特邀论文：</i> 液晶显示技术的发展趋势

    摘要： 近期对液晶显示器（LCD）更高图像质量的强烈需求，随着8K电视、5G等传输技术的进步而达到前所未有的高度。本文介绍了京东方（BOE）在液晶显示器领域的发展趋势，包括技术要素和设计趋势。液晶显示器在人们现代数字生活中产生的深远影响，促使京东方等面板制造商深入思考液晶显示技术的发展方向。液晶显示器应如何变得更加生动并更受用户青睐？当8K显示和5G时代来临之际，液晶显示器又该如何在物联网生态系统中承担其历史使命？以下从技术要素和设计要素两方面总结了液晶显示器的发展趋势。液晶显示器将变得越来越卓越。

    关键词： BLU（背光单元）、TDDI（触控与显示驱动器集成）、窄边框、LCD（液晶显示器）、物联网、准直光学系统、5G、偏光片、3D、TFT（薄膜晶体管）、量子点、高亮显示、防窥视、彩色滤光片

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 30.1：采用ITO稳定氧化锌薄膜晶体管的透明基础逻辑电路

    摘要： 采用氧化铟锡（ITO）稳定的氧化锌（ZnO）薄膜晶体管（TFTs）成功制备了透明基础逻辑电路，器件集成于玻璃衬底。这些底接触顶栅型TFTs以具有混合相微结构的ITO稳定ZnO薄膜作为有源层。我们分别制作了采用二极管负载和伪CMOS反相器的13级环形振荡器（RO），以对比两种方案差异：在相同20V供电电压下，伪CMOS RO呈现7V电压摆幅和42kHz振荡频率，而二极管负载RO则显示3.3V摆幅与71kHz频率。同时制备了采用伪CMOS方案的NOR门和D触发器等基础数字电路，其逻辑功能正确——这些逻辑门在10V供电电压下典型高电平为4.3V、低电平200mV，最大工作频率近10kHz。该芯片在380-800nm波长范围内透光率达80%-90%。

    关键词： 透明基础逻辑电路，氧化铟锡稳定的氧化锌，薄膜晶体管（TFT）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 实现薄膜晶体管技术及关键器件指标

    摘要： 场效应晶体管开启了推动社会进入信息时代的数字革命。如今庞大的场效应器件家族中，薄膜晶体管（TFT）因其在现代平板显示技术中的关键作用而广为人知。由于可采用多种材料制造，从而具备多样的电学与机械特性，薄膜晶体管能应用于各类创新场景。要在柔性、可拉伸及透明大面积微电子等快速兴起的领域成功运用TFT技术，需要关注多项关键指标。

    关键词： 场效应晶体管、数字革命、柔性电子学、大面积微电子学、薄膜晶体管、可拉伸电子学、平板显示器、TFT（薄膜晶体管）、透明电子学

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • P-6.6：用于85英寸8K4K 120Hz GOA液晶显示器的铜BCE结构IGZO薄膜晶体管制备

    摘要： 研究了基于背沟道蚀刻（BCE）结构的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（TFTs）的电学特性。通过改进钝化层、滤色片材料选择及GOA TFT结构设计，以减轻H2O分子吸附对BCE结构背沟道的影响。正负偏压温度应力测试结果表明，优化后的GOA TFTs具有良好的器件可靠性。最终展示了一款高性能的85英寸8K4K 120Hz GOA液晶显示器。

    关键词： GOA、BCE a-IGZO TFT、8K4K、85英寸

    更新于2025-09-04 15:30:14