用于硅异质结太阳能电池的非传统硅基底的化学纹理化工艺

摘要： 本研究针对多晶硅片在经历硅异质结太阳能电池应用所需的制绒工艺后，对其表面进行了全面研究。所描述的调查包括基于氢氟酸和硝酸组合的各向同性蚀刻时间对反射率、表面形貌以及通过隐含开路电压演变反映的表面复合的影响。还探讨了先前处理的影响以及这些制绒工艺后在硅片表面形成的多孔硅或氧化硅的消除问题。通过短时间蚀刻，已获得具有良好均匀性和低加权半球反射率（23–24%）的制绒多晶硅片表面。这些制绒工艺也在升级冶金硅片上进行了测试，结果加权半球反射率约为23%，但代价是出现了重要的表面缺陷。