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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 基于表面势的双栅双层石墨烯场效应晶体管模型（包含电容效应）

    摘要： 本研究提出了一种表面势建模方法，用于双栅极双层石墨烯场效应晶体管建模。通过考虑各层量子电容效应及层间电容，改进了GFET的等效电容网络?；诟玫刃У缛萃缃馕鋈范怂愕谋砻媸疲⒗帽砻媸仆ü?扩散输运机制建立了漏源电流的显式表达式。所开发模型的漏电流特性与转移特性与文献实验结果高度吻合。推导了本征石墨烯晶体管的小信号参数（输出电导gds、跨导gm、栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs），最终确定了该模型的截止频率。采用归一化均方根误差(NRMSE)指标与实验数据对比，显示NRMSE小于16%。基于该模型开发了Verilog-A代码，并在Cadence设计环境中利用此模型设计了单端倍频器。

    关键词： 模型，场效应晶体管（FET），Verilog-A，石墨烯，表面电势，倍频器。

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2019年IEEE第62届国际中西部电路与系统研讨会(MWSCAS) - 美国德克萨斯州达拉斯市(2019.8.4-2019.8.7)] 2019年IEEE第62届国际中西部电路与系统研讨会(MWSCAS) - 基于Verilog-A紧凑模型的光子集成电路快速仿真

    摘要： 随着硅基光子集成的出现，电子电路领域对开发混合电子-光子集成系统的兴趣日益增长。然而，光子集成电路（PIC）设计工具主要聚焦于采用数值方法求解麦克斯韦方程组。最新开发的PIC系统级设计工具采用光学元件的s参数建模。但此类平台不支持电子驱动电路和接口电路的精确建模。为实现以电子集成电路（IC）为中心的设计，当前趋势是采用Verilog-A对光子元件进行紧凑建模，从而使其能与CMOS电子器件协同仿真。本研究展示了我们的建模方法及一种新型的PIC快速频域仿真技术。

    关键词： 环形谐振器，Verilog-A，硅光子学（SiP），CMOS光子学，光子集成电路（PICs）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 相变存储器的适定Verilog-A紧凑模型

    摘要： 本工作展示了一种基于Ge2Sb2Te5（GST）硫系化合物的相变存储器（PCM）器件的适定紧凑模型。该模型支持包括瞬态、直流和交流在内的所有仿真模式。模型采用Verilog-A开发，并通过HSPICE进行仿真。其计算简单，成功捕捉了存储器开关的关键高层行为，包括电阻对编程电压、电流及脉冲时间尺度的依赖关系。

    关键词： Verilog-A，硫系化合物，适定模型，相变存储器

    更新于2025-09-09 09:28:46