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铁电p-YMnO3薄膜/块体p-Si异质结在宽测量温度范围内的电流-电压特性
摘要： 在室温（RT）及50至320K温度范围内测量了Al/p-YMO/p-Si/Al异质结的正向与反向偏置I-V特性，其I-V曲线呈现类肖特基二极管特性。根据300K（室温）正向偏置I-V曲线计算得出理想因子为0.81，势垒高度为2.62eV。YMO粉末采用固相反应技术制备，通过射频磁控溅射法使用多晶YMO单靶在p-Si衬底正面生长YMO薄膜，Dektak XT表面轮廓仪测得硅衬底上YMO薄膜厚度约70nm。同时对YMO薄膜进行了XRD、SEM、UV-Vis和XPS测试，紫外可见光谱测定YMnO3薄膜带隙能为2.10eV?；谌鹊缱臃⑸洌═E）、肖特基发射、福勒-诺德海姆（F-N）隧穿及空间电荷限制电流（SCLC）理论分析了温度相关的正反向偏置I-V曲线。此外发现各温度下结区的正向偏置导电均符合F-N隧穿机制，表现为ln(I/V2)与V-1曲线呈线性关系。
关键词： 多晶，异质结，铁电体，Al/p-YMO/p-Si/Al，肖特基势垒，YMnO3，温度依赖的电流特性
更新于2025-09-23 15:23:52
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Os掺杂对YMnO3多铁性钙钛矿氧化物化合物电学性能的影响
摘要： 在本研究中，通过传统固相反应法合成了YMnO3（YMO）及掺杂锇（Os）的YMO（YMn1-xOsxO3）（x=0.01、0.05、0.10）化合物，并采用宽频介电/阻抗谱仪研究了其频率和温度依赖的电学特性。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）对YMO及掺杂Os的YMO粉末进行了结构和化学分析。阻抗测量结果表明：YMO和1 mol% Os掺杂样品仅观察到晶界弛豫峰，而5 mol%和10 mol% Os掺杂样品则同时出现晶界与晶粒弛豫峰。研究发现Os掺杂可降低YMO的电阻率，其中10 mol% Os掺杂样品的电阻率最低。计算了YMO及Os掺杂化合物的激活能，结果显示随着Os掺杂比例增加，各化合物的激活能值逐渐降低。此外还证实晶界的激活能高于晶粒。
关键词： 多铁性材料、YMnO3、钙钛矿氧化物、电学性能、Os掺杂
更新于2025-09-10 09:29:36