<i>P-</i>型氮化镓/<i>n-</i>型二硫化钼异质结二极管的导电机制与光电响应研究

摘要： 混合维度异质结构在电子器件中展现出潜力，但其功能受限于对接触界面及电流传输行为的完整认知。本研究探究了采用p型氮化镓与层状二硫化钼构建的P-N异质结二极管电学特性。该P-N二极管具有整流特性，电流整流比达三个数量级。通过精心选择半导体两侧的欧姆接触，清晰呈现了异质结二极管的整流行为。在多温度条件下测试所制备二极管，并基于温度依赖性电学表征分析器件导电机理。此外，光响应测试表明该P-N异质结对405纳米激光高度敏感，在5V反向偏压下表现出444 A/W的高响应度及光伏特性。该异质结二极管可作为自供电光电探测器工作。研究结果揭示了MoS2/GaN异质结在高效光电探测器应用中的潜力。