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通过选择性硫酸化焙烧和水浸法从废阴极射线管(CRT)荧光粉中回收稀土元素
摘要: 直到最近,大多数显示器(如电视和电脑屏幕)仍采用阴极射线管(CRT)技术。随着液晶显示器等新型显示技术的普及,CRT设备被广泛淘汰,导致含危险物质的CRT荧光粉废料逐渐堆积。本文提出一种新方法:选择性回收荧光粉中的珍贵稀土元素(钇和铕),剩余富含锌的残渣与玻璃可进一步回收利用。废粉中的主要稀土化合物为硫氧化钇:铕3?(Y2O2S:Eu3+)。将细粒级CRT荧光粉与一水合硫酸锌(ZnSO4·H2O)混合,在600-900°C下短时焙烧,使Y2O2S:Eu3+转化为水溶性稀土硫酸盐。同时,硫化锌与一水合硫酸锌经历两阶段反应:先形成部分水溶性的中间产物(ZnO·2ZnSO4),最终生成水不溶性的氧化锌。添加足量一水合硫酸锌可确保后续水浸步骤中稀土回收率≥95%,但会伴随约5%总锌量的共溶现象。通过对比多种纯化方法(包括传统硫化物/草酸沉淀法及Versatic Acid 10处理),最终提出可实现稀土元素(近乎完全)与全部锌资源综合回收的完整工艺流程。
关键词: CRT荧光粉、锌、水浸出、Versatic酸、稀土元素、焙烧
更新于2025-09-09 09:28:46
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多壁碳纳米管修饰场效应晶体管上裂分适配体与HIV-1 Tat蛋白的高性能交互分析
摘要: 在通过功能化编排的多壁碳纳米管(MWCNTs)传导的生物传感表面,研究了分裂RNA适配体与临床重要靶标HIV-1 Tat之间的相互作用。通过酸氧化对MWCNTs进行羧基官能团修饰。X射线光电子能谱分析显示整体氧基团含量显著增加约2.91%,其中因C=O和O-C=O键合导致的特定羧基含量增加约1%。通过栅极电压(Vgs)下的电流信号(Ids)电学测量量化了分裂RNA适配体与HIV-1 Tat蛋白的相互作用。初始观察到适配体固定在MWCNT上时产生34.4 mV的栅极电压偏移。当适配体与HIV-1 Tat相互作用时,电流流动减弱并伴随23.5 mV的栅极电压偏移。该器件上分裂适配体与HIV-1 Tat相互作用的检测灵敏度达到600 pM。为验证适配体与HIV-1 Tat的真实相互作用,测试了其他HIV-1蛋白Nef和p24与适配体的作用,其产生的栅极电压偏移分别为3.5 mV和5.7 mV,分别比HIV-1 Tat相互作用低4倍和2.5倍,表明干扰可忽略。
关键词: 场效应晶体管,多壁碳纳米管,分裂适配体,HIV - 1 Tat蛋白
更新于2025-09-09 09:28:46
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水热法制备BiVO4的微观结构与光催化性能
摘要: 在不同pH条件下(未使用表面活性剂)水热合成了单斜相BiVO4光催化剂。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱、电化学工作站及染料降解实验,对所得样品的微观结构与光催化性能进行了表征。结果表明pH值对BiVO4的微观结构和光催化性能具有显著影响:酸性环境中室温下会快速生成大量四方相BiVO4沉淀,而当pH≥7时仅形成非晶粉末;单斜相BiVO4在180°C合成初期逐渐形核生长,最终成为唯一晶相。研究深入探讨了微观结构与光催化活性的关联,发现中性条件(pH 7)制备的BiVO4对罗丹明B溶液表现出优异的光催化降解效率,这主要归因于其高暴露{010}晶面、紧密堆积结构、小粒径尺寸及特殊漂浮特性的综合作用,这些因素促进了光生电子-空穴对的有效分离并增强了可见光吸收能力。
关键词: BiVO4,微观结构,光生电子-空穴对,光催化剂,光催化活性
更新于2025-09-09 09:28:46
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阴极笼中具有空心阴极效应的等离子体沉积氮化钛薄膜
摘要: 阴极笼的使用在玻璃或金属基材上沉积薄膜和厚膜方面展现出巨大潜力。该技术具有多种应用可能。本研究采用阴极笼等离子体放电技术在玻璃基材上沉积氮化钛薄膜,旨在比较使用两种不同厚度顶盖的阴极笼所沉积薄膜的性能。通过X射线衍射分析、反射计测厚、电阻率测量、透光率测试、扫描电子显微镜表面形貌观察及EDS成分分析对薄膜进行表征。反射计结果显示,使用较厚顶盖(10毫米)时薄膜沉积速率和粗糙度均增大。在氮气流量155 sccm、氢气流量95 sccm、气压0.5托的条件下沉积的薄膜在红光和近红外区域呈现低透光率,使其成为潜在的红外滤光片材料。
关键词: 阴极笼,氮化钛,薄膜
更新于2025-09-04 15:30:14
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中子辐照碳化硅中的储能释放
摘要: 本研究的目的是通过实验量化先前辐照过的高纯度碳化硅(SiC)在热退火过程中释放的储存能。研究对高缺陷多晶化学气相沉积β-SiC和单晶6H-SiC样品进行了辐照处理,在混合谱裂变反应堆中以约60℃的温度、5×1023至2×102? n/m2(E>0.1 MeV)注量范围(约0.05-20 dpa)进行辐照,旨在量化储存能释放并将其与透射电镜观测到的微观肿胀、晶格膨胀及微观结构相关联。在本研究注量范围内,晶体材料观察到显著肿胀(达8.13%膨胀),并在约1×102? n/m2(E>0.1 MeV)注量时跨越非晶化阈值剂量。非晶化后材料在此辐照条件下呈现11.7%的初始非晶肿胀。伴随晶体SiC产生的异常肿胀,推断在非晶化临界阈值处释放了超过2500 J/g的显著储存能。如预期所示,非晶化后结构储存能降低,测量值约为590 J/g。总体而言,储存能研究结果与现有理论相符,但考虑到观测到的大幅晶体应变,其储存能量级仍属显著。本研究最终结论表明:SiC的储存能与核石墨相当,且与石墨类似,在某些辐照条件下其储存能释放量超过其比热容。
关键词: 中子辐照、非晶化、碳化硅、肿胀、储存能
更新于2025-09-04 15:30:14
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用于增强可见光光催化产氢的半导体异质结
摘要: 基于半导体的异质结已被证明是有效的光催化材料,可克服因电子-空穴复合率高和光响应范围窄导致的低光催化效率缺陷。本文研究了由可见光活性石墨相氮化碳(g-C3N4)与紫外光活性焦铌酸锶(Sr2Nb2O7)构成的异质结。同时考察了不同温度下制备的氮掺杂Sr2Nb2O7与g-C3N4形成的异质结,以探究氮掺杂的影响。通过可见光照射下水的光催化产氢反应(HER)评估其光催化性能。结果表明,在相同条件下,所制备异质结的光催化活性显著高于单一组分。其中700℃下制备的g-C3N4与氮掺杂Sr2Nb2O7异质结(CN/SNON-700)性能优于g-C3N4与Sr2Nb2O7异质结(CN/SNO)。基于能带位置相对关系和光致发光数据,提出了异质结增强光催化活性的可能机理。
关键词: 石墨相氮化碳、可见光光催化、焦铌酸锶、半导体异质结、制氢
更新于2025-09-04 15:30:14
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掺杂Eu3+的新型双钙钛矿Sr2YTaO6荧光粉的合成与发光性能
摘要: 通过传统固相反应法合成了一种新型红色发光磷光体Sr2Y1?xTaO6:xEu3+(x=0.04–0.20)。详细研究了其晶体结构、光致发光性能、热稳定性和衰减寿命。在近紫外光激发下,该样品因5D0→7F2跃迁呈现出中心波长为612 nm的强红光发射峰,表明Eu3+占据了Sr2YTaO6基质晶格中的低对称位点。Eu3+离子的最佳掺杂浓度约为12 mol%。根据温度依赖性发射光谱测试,Sr2YTaO6:Eu3+磷光体展现出优异的热稳定性。此外,Sr2Y1?xEuxTaO6磷光体呈现良好的色坐标(0.6076, 0.3879)和约84.55%的高色纯度。所有结果表明,Sr2Y1?xTaO6:xEu3+磷光体可作为白光发光二极管中高效的红色磷光材料。
关键词: Sr2YTaO6:Eu3+,荧光粉,发光,热稳定性,白光发光二极管
更新于2025-09-04 15:30:14
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碳纳米片促进碳化钼与石墨相氮化碳间电荷分离与转移实现高效光催化产氢
摘要: 通过界面调控纳米结构异质结光催化剂以增强电荷分离与转移,是实现高效光催化活性的关键。本研究设计构建了一种非贵金属Mo2C@C/g-C3N4异质结构,其中插层碳纳米片作为粘结剂在Mo2C与g-C3N4间形成优异的界面接触。此外,大量碳量子点均匀嵌入碳纳米片中。所得Mo2C@C/g-C3N4复合材料在可见光照射(λ ≥ 420 nm)且无助催化剂条件下,展现出显著提升的光催化产氢速率(52.1 μmol h?1),较相同条件下原始g-C3N4(0.2 μmol h?1)提高了近260倍。光催化活性的显著提升主要源于导电碳纳米片作为高效电子媒介,促进了Mo2C与g-C3N4间的快速电荷迁移与分离。此外,碳载体中嵌入的碳量子点也提升了太阳能利用效率。该工作为通过异质结复合材料的界面工程开发高效光催化剂提供了可行策略。
关键词: 析氢反应、光催化、水分解、氮化碳、异质结
更新于2025-09-04 15:30:14
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掺氮二氧化钛浸渍活性炭纤维的光催化行为研究
摘要: 采用溶胶-凝胶法和超声化学合成法制备了氮掺杂二氧化钛浸渍活性炭纤维(ACFs)。罗丹明B的光催化行为表明,氮掺杂TiO?/ACF纳米复合材料表现出增强的光催化活性。这一结果可归因于ACF的高吸附能力与氮掺杂TiO?的可见光光催化活性之间的协同效应。特别是经过四次超声处理的氮掺杂TiO?/ACF纳米复合材料具有最高的光催化效率和降解率,这归功于其最佳的氮掺杂TiO?负载量和纳米复合材料的孔结构。
关键词: 氮掺杂二氧化钛,超声化学合成,活性炭纤维,光降解
更新于2025-09-04 15:30:14
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溅射沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄缓冲层在Y稳定氧化锆晶体基底上的界面扩散研究——用于固体氧化物电池应用
摘要: 本文报道了通过射频磁控溅射在晶体(111)取向YSZ衬底上沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄膜的形貌与结构特性研究结果。对室温原位生长的样品进行了600°C至1300°C不同温度的退火处理。原子力显微镜分析显示平均晶粒尺寸随退火温度升高而增大。X射线衍射测量表明晶粒沿(111)方向择优生长,且计算得到的c轴长度随退火温度升高而减小,这可能与样品过度氧化有关。针对700-1000°C退火的薄层进行的X射线反射率研究表明,在层/衬底界面和层/真空表面存在具有不同密度和粗糙度的区域,并探究了这些区域随温度的变化行为。所得结果似乎排除了GDC/YSZ界面存在显著互扩散现象的可能性。
关键词: 固体氧化物电池,X射线反射率,倒易空间图,射频磁控溅射,钇稳定氧化锆,掺杂钆的二氧化铈,互扩散
更新于2025-09-04 15:30:14