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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 量子点
  • 光催化
  • 钙钛矿太阳能电池
  • 石墨烯
  • 光致发光
  • 太阳能电池
  • 薄膜
  • 二氧化钛
  • 染料敏化太阳能电池
  • 密度泛函理论
应用领域
  • 光电信息科学与工程
  • 材料科学与工程
  • 物理学
  • 光电信息材料与器件
  • 纳米材料与技术
  • 电气工程及其自动化
  • 电子科学与技术
  • 化学
  • 高分子材料与工程
  • 精密仪器
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Huazhong University of Science and Technology
  • Jilin University
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Zhejiang University
  • Tsinghua University
  • University of Chinese Academy of Sciences
  • University of Science and Technology of China
  • Peking University
  • Shanghai Jiao Tong University
63345 条数据
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  • 用于宽带涨落测量的升级版干涉仪-偏振仪系统

    摘要： 测量高频涨落（高于撕裂模频率）对于诊断不稳定性与输运现象至关重要。麦迪逊对称环干涉仪-偏振仪系统已升级采用改进的平面二极管混频器技术。新型混频器降低了相位噪声，使得对高频涨落的测量更为灵敏。在400 kHz带宽下，典型偏振仪均方根相位噪声值达到0.05°–0.07°。低相位噪声使偏振测量能解析高达250 kHz的涨落，干涉测量则可达600 kHz。研究还验证了探针光束对准对于偏振测量的重要性——先前报道的平衡态与撕裂模测量中≤0.1 mm位移容差，将空间失准导致的污染控制在磁轴附近弦线可接受的范围内。

    关键词： 法拉第旋转、干涉仪-偏振计、平面二极管混频器、宽带波动测量、相位噪声

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 表面等离子体辅助通过约10纳米超小纳米孔的传输（带牛眼凹槽）

    摘要： 我们模拟了光通过一个极小纳米尺度孔径的传输过程——该孔径直径为10纳米，穿透于位于等离子体牛眼光栅中心的金属薄膜。在表面等离子体激元激发频率下，距离纳米孔开口10微米处观测到具有5.7度发散角的显著定向发射光，这一现象通过测量距离相关的传输振幅得到证实。通过对横截面、近场和远场视图中电场的观测，发现与表面等离子体激发相关的近场增强效应，以及近场区域中穿过纳米孔的电场光的干涉作用，是产生这种显著定向发射的原因。

    关键词： 表面与界面上的等离激元、光学衍射、纳米结构的光学特性

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 金属栅极/高k介质/n-InGaAs金属氧化物半导体堆叠在积累区中C-V迟滞与电容频率色散之间缺乏相关性

    摘要： 实验评估了金属栅/高k介质/n-InGaAs金属氧化物半导体堆叠中电容-电压迟滞与积累区电容频率色散的关联性。通过采用退火形成气体(FGA)处理或衬底空气暴露工艺制备获得不同缺陷密度的样品并进行全面表征，将结果与既有文献报道进行对比分析。研究表明：电容-电压迟滞现象与积累区电容频率色散之间不存在关联，表明这两种现象涉及具有显著不同动力学特性的缺陷类型。通过分析电容-电压迟滞对直流偏压和应力时间的依赖关系发现，在偏压作用下永久性界面缺陷脱钝化不会影响应力后的迟滞宽度。总体而言，电容-电压迟滞探测的是贯穿氧化层和带隙的慢速俘获机制，这与FGA样品在恒定电压应力下电流-时间曲线呈现的负电荷俘获特性相符；而积累区电容频率色散则反映具有短俘获/去俘获特征时间的缺陷，这些缺陷与空气暴露样品在恒定直流应力下的应力诱导漏电流相关。实验结果表明，由于所探测缺陷的动力学特性存在巨大差异，必须分别评估这两种效应。

    关键词： 金属氧化物半导体堆叠、成形气体退火、缺陷、金属栅/高k电介质/n型铟镓砷、陷阱机制、电容-电压迟滞效应、积累区电容频率色散

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 回旋管全套仿真代码的开发

    摘要： 韩国蔚山国立科学技术院（UNIST）正在开发一套完整的回旋管仿真代码包，用于分析其性能。我们首次报道了该名为"UNIST回旋管设计工具（UGDT）"的代码包的当前进展。该工具可对回旋管的相互作用腔、射频窗进行设计仿真，并执行包括模式竞争研究在内的关键模式计算。我们将讨论其显著特性、理论基础、数值实现方法，以及针对95GHz UNIST回旋管的计算结果。此外，还将验证该工具对基波与二次谐波模式进行模式竞争计算的能力。

    关键词： 谐波运行、模式竞争、回旋管设计代码、回旋管

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 通过蒙特卡洛光线追踪法推导KSTAR红外成像视频量热计（IRVB）的前向投影矩阵

    摘要： 红外成像视频测辐射热计（IRVB）作为一种箔式测辐射热技术，因其电磁免疫特性和二维等离子体轮廓测量能力，可成为传统电阻式测辐射热计的替代方案。由于箔像素数与等离子体像素数的差异以及入射射线在箔上的线积分特性，IRVB的等离子体轮廓无法直接从箔图像中推导得出，因此需要采用菲利普斯-吉洪诺夫算法等断层重建技术。由等离子体构建箔图像的投影矩阵会直接影响断层重建效果，故该投影矩阵必须精确构建。针对精确计算投影矩阵的技术，本文提出前向蒙特卡洛光线追踪方法，该技术能提供箔图像的详细描述，并可提升对空间局域化功率等离子体的重建性能。

    关键词： 红外成像视频测辐射热计、投影矩阵、IRVB（红外视频测辐射热计）、箔式测辐射热计、蒙特卡罗光线追踪、等离子体轮廓重建

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 通过混合立体视觉改进干涉测量仪器以解决2π模糊性

    摘要： 通过高相干干涉测量获得的相位测量结果受2π模糊性的限制，仅能测量小于λ/2的高度差。另一限制因素是大多数干涉测量系统中因CCD型阵列探测器而产生的线性和非线性像差。作者提出了一种新方法，通过立体成像方式克服干涉测量中的2π模糊性。该方法将物体反射的重建波前以两个不同角度传播，从而获取物体的两幅不同图像。随后通过立体算法处理这两幅图像以消除2π模糊性。如文中所述，这种波前传播方法可实现聚焦和消除2π模糊性等多种应用。

    关键词： 波前传播、立体视觉、2π模糊性、耦合技术、干涉测量

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 不同光引发剂对光固化牙科复合材料修复体聚合动力学及边缘微渗漏的影响

    摘要： 目的：评估四种不同光引发剂对使用光固化牙科复合材料进行V类洞修复时聚合动力学及边缘微渗漏的影响。材料与方法：基于Bis-GMA（14.5 wt%）、UDMA（6.5 wt%）和硅烷化填料颗粒（79 wt%）配制了四种含不同光引发剂的光固化牙科复合材料，分别采用樟脑醌（CQ）/胺、苯基丙二酮（PPD）、单酰基膦氧化物（Lucirin? TPO）和双?；⒀趸铮↖rgacure? 819）作为光引发剂。选取16颗完整人类第三磨牙并分为四组，在颊舌面制备V类洞后进行染料渗漏测试。数据分别针对釉质和牙本质独立分析，并通过Kruskal-Wallis检验评估结果。采用差示扫描量热仪联用光量热附件评价四种复合材料的聚合反应。结果：Lucirin? TPO在釉质中微渗漏评分最高，其余光引发剂无统计学差异；PPD在牙本质中评分最低，而Irgacure? 819和Lucirin? TPO评分最高。光量热测量显示聚合反应速率与边缘渗漏存在相关性，反应越快则边缘渗漏越大。结论：光固化牙科复合材料的边缘微渗漏评分会因不同类型光引发剂及其独特反应速率而产生显著影响。

    关键词： 牙科渗漏，光引发剂，牙科，复合树脂

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 强脉冲光光疗在皮肤病学中的病例研究——HPPL?与IFL?技术

    摘要： 强脉冲光（IPL）和激光技术广泛应用于皮肤年轻化治疗，以及色素异常、痤疮等皮肤病的治疗，还可用于皱纹和增生性瘢痕的非剥脱性真皮重塑。该领域技术发展迅速，高功率脉冲光?[HPPL?]和无相干快光?[IFL?，意大利米西恩托诺瓦维森集团S.p.A.，邮编20826（MB）]是IPL技术的最新创新成果，其中IFL?是已较为先进的HPPL?系统的进一步升级。本文选取了采用HPPL?和IFL?技术治疗的皮肤病病例资料，所有研究材料均经过伦理问题的严格同行评审。

    关键词： 皮肤重塑、强脉冲光、光老化、光子嫩肤

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 超宽带隙、高导电性、高迁移率且高质量的熔体生长块状ZnGa?O?单晶

    摘要： 真正的大尺寸ZnGa2O4单晶直接从熔体中获得。其1900±20℃的高熔点以及含锌镓组分的高度非共晶蒸发特性对生长条件构成限制。所得晶体具有化学计量比或近化学计量比组成，在室温下呈现正常尖晶石结构，(100)取向样品400峰的摇摆曲线半高宽仅为23角秒。该ZnGa2O4为单晶尖晶石相，其Ga/Zn原子比最高可达约2.17。熔体生长的ZnGa2O4单晶在氧化和还原气氛中分别经10小时退火后，热稳定性可达1100℃和700℃。根据生长条件和原料配比，所得单晶既可能是电绝缘体，也可能是n型/简并半导体。原位生长的半导体晶体电阻率为0.002–0.1 Ω·cm，自由电子浓度为3×101?–9×101? cm?3，最大霍尔迁移率达107 cm2·V?1·s?1。这些半导体晶体在≥700℃氧气氛围中退火数小时后可转变为电绝缘态。其光学吸收边陡峭且起始于275 nm波长，随后在可见光及近红外波段完全透明。由吸收系数推算的光学带隙为直接带隙，约4.6 eV，与β-Ga?O?接近。此外，该材料晶格常数a=8.3336 ?，可作为磁性铁基尖晶石薄膜的优质晶格匹配衬底。

    关键词： 高迁移率、熔体生长、高质量、超宽带隙、导电性、单晶、ZnGa2O4

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 紫外线-C辐射对蒲公英和紫锥菊的影响：初步结果

    摘要： 紫外线-C（UV-C）光（波长100至280纳米）是一种能损害生物体的电离辐射。实验在受控条件下进行，使用自产特征堆肥培育的普通蒲公英（Taraxacum officinale Weber，T. Densleonis Desf.）和紫锥菊[Echinacea purpurea (L.) Moench]，通过不同照射时长UV-C辐照，评估不同剂量UV-C辐射对部分生理参数的影响。试验采用配备UV-C灯的黑箱装置，根据辐照时长（10、30、60和120分钟）将植物分为四组，未辐照植株作为对照。记录辐照前、辐照后即刻及20天后植物的光合性能、叶绿素含量（SPAD值）及形态特征。将光合性能与叶绿素含量（SPAD值）的影响与类似实验中不同UV-C辐照时长的番茄植株数据进行对比。两种植物的SPAD值均随辐照时长增加而降低，且根据UV-C暴露时间呈现不同的气体交换动态。UV-C辐照两个月后，120分钟辐照处理的植株干重显著低于对照组。

    关键词： 光合作用、干物质、气体交换、叶绿素含量、臭氧层。

    更新于2025-09-04 15:30:14