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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 石墨烯
  • 氧化石墨烯
  • 石墨烯量子点
  • 还原氧化石墨烯
  • 太赫兹
  • 光电探测器
  • 化学气相沉积
  • 纳米复合材料
  • 光催化
  • 二维材料
应用领域
  • Optoelectronic Information Science and Engineering
  • Nanomaterials and Technology
  • Materials Science and Engineering
  • Physics
  • Optoelectronic Information Materials and Devices
  • Composite Materials and Engineering
  • Polymer Materials and Engineering
  • Applied Physics
  • Electronic Science and Technology
  • Chemistry
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Wuhan University of Technology
  • University of Science and Technology of China
  • Tohoku University
  • Jiangsu University
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Southeast University
  • Shenzhen University
  • Ningbo University
  • Sungkyunkwan University
692 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 一步蛙跳HIE-FDTD方法用于Drude介质

    摘要： 针对Drude色散介质开发了一种一步蛙跳混合隐式-显式时域有限差分（HIE-FDTD）方法。该Drude介质通过半隐式辅助微分方程表征的电流源进行建模。其稳定性条件与传统蛙跳HIE-FDTD相同，且仅由单一方向的网格尺寸决定。该方法采用极精细网格，可高效研究低太赫兹波段沿单原子层石墨烯传播的表面等离激元极化激元的特性。

    关键词： 德鲁德色散介质、石墨烯、混合隐式-显式时域有限差分法、单步蛙跳格式、稳定性

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于N,N-二甲基氨基-4'-N'-甲基二苯乙烯基-2,4,6-三甲基苯磺酸盐(DSTMS)-石墨烯复合薄膜的电学与光学响应

    摘要： 首次制备并系统研究了石墨烯浓度为2%的N,N-二甲基氨基-4′-N′-甲基二苯乙烯基碘鎓四(2,4,6-三甲基苯磺酸)盐(DSTMS)-石墨烯非原位与原位复合薄膜。XRD分析证实了DSTMS基复合薄膜的结晶度，FT-IR可获得复合薄膜的官能团信息。通过UV-Vis-NIR光谱分析记录光学吸收特性，并计算了薄膜的带隙和消光系数。TG/DSC分析了复合薄膜的热稳定性。压敏电阻测试表明，添加石墨烯后复合薄膜的压敏信号显著增强，而DSTMS薄膜的信号最终消失。该工作通过掺杂石墨烯拓展了有机非线性晶体DSTMS在光学和电学领域的应用。

    关键词： DSTMS、电学性能、石墨烯、复合薄膜、光学性能

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 石墨烯在Cu(111)表面优先成核于CuO缺陷而非Cu2O：密度泛函理论计算与实验的结合

    摘要： 众所周知，降低成核密度是提升石墨烯生长质量的有效途径。本研究采用密度泛函理论（DFT）结合弹性能带法（NEB），探究了Cu(111)基底上CuO缺陷周围石墨烯的成核与生长机制，并分析了初始成核阶段的缺陷形成机理。通过计算碳原子吸附能及碳-碳二聚体形成的反应能垒表明：人工引入CuO缺陷可促进石墨烯在Cu(111)表面的初始成核，从而抑制洁净Cu(111)基底上的成核过程。该结论已通过化学气相沉积（CVD）法制备石墨烯的实验得到验证。进一步研究发现，在CuO"晶种"周围生长的石墨烯能保持结构完整性且不会显著产生缺陷碳环。本研究为通过人工引入CuO晶种可控制备大尺寸高质量石墨烯提供了理论基础与指导依据。

    关键词： 氧化铜、氧化亚铜、石墨烯、密度泛函理论、成核

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 金属增强的原子图案化石墨烯加氢反应

    摘要： 石墨烯氢化是功能化石墨烯的一种有效方法。但由于石墨烯对氢的亲和力较弱，氢化处理只能在苛刻条件下实现，这也使得通过氢化直接在石墨烯上书写电子电路极为困难。本研究提出一种金属增强的原子级图案化石墨烯氢化方法，可按需制备氢化图案。第一性原理计算表明，特定金属（铜、银、铝）附着于石墨烯能显著降低氢结合过程的能垒，同时大幅增强氢结合能。这种金属促进的氢化反应具有空间局域性，为利用可控金属团簇和针尖在石墨烯上精确书写预设氢化图案开辟了新途径。

    关键词： 带隙、氢化、石墨烯、H修饰图案、金属辅助光刻

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于微环谐振器和石墨烯的高灵敏度光学温度传感器

    摘要： 本文研究了一种集成微环谐振器与石墨烯材料的微型温度传感器。其核心原理是通过微环谐振器路径上的石墨烯层调控系统温度。当系统升温时，具有5000 W/mK热导率的石墨烯能感知该变化并将其作用于传感器共振峰。线性温差会导致灵敏度、功率及能级产生相应线性变化，证实了系统的正常运作。相较于其他传感器，这种尺寸为44×40微米的微型光学传感器因具备抗电磁干扰优势（电子传感器易受电扰动和电磁干扰影响），且具有体积小、精细度高、灵敏度强、重量轻、成本低等特点，在工业和医疗领域具有重要应用价值。传感器其他材料采用硅(Si)和二氧化硅(SiO2)这两种高熔点天然元素。系统自由光谱范围(FSR)和半高全宽(FWHM)分别为660 GHz和30 GHz，与同类光学传感器相比属合理参数。时间旋转和时延单元分别达到0.31皮秒和1.51皮秒，具有可接受的时间特性，整个微环总长度为94微米。

    关键词： 光学传感器、温度传感器、灵敏度、微型传感器、石墨烯、微环谐振器

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 单层和双层石墨烯/h-BN莫尔超晶格中能隙的精确测定

    摘要： 高迁移率的单层和少层石墨烯片在许多方面作为纳米电子电路载体颇具吸引力，但缺乏对场效应晶体管运行至关重要的能隙。在石墨烯体系中制造能隙的方法之一是通过使石墨烯与六方氮化硼（h-BN）衬底晶格对齐来形成长周期莫尔图案。在此，我们利用具有薄h-BN势垒的平面隧道器件，直接且精确地测量了单层和双层石墨烯-h-BN超晶格结构在电荷中性点（第一狄拉克点）及整数莫尔能带占据态（第二狄拉克点，SDP）处的能隙随外电场、磁场及界面扭转角变化的隧穿谱。对于单层石墨烯，我们发现与先前研究一致，在中性和空穴掺杂的SDP处形成能隙，但在电子掺杂的SDP处未形成能隙。通过将朗道扇形图案外推至零磁场，可精确测定主能隙和次能隙——对于近完美对齐的器件，其值可达≈17毫电子伏特。对于双层石墨烯，我们发现能隙仅出现在电荷中性点，且可通过外电场进行调控。

    关键词： 石墨烯-h-BN莫尔超晶格、朗道能级隧穿谱学、双层石墨烯-h-BN超结构、高精度测量、石墨烯能隙

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 液晶分子5CB在石墨烯上的吸附

    摘要： 我们采用密度泛函理论研究了液晶分子5CB在石墨烯表面的稳定吸附构型。首先计算了5CB极化率随其几何结构的变化关系，研究结果分解了氰基、联苯基和烷基对5CB光学性质的贡献，证实联苯基是影响最大的基团。其次量化了5CB在石墨烯上可能的吸附结构，发现除了联苯基沿扶手椅和锯齿晶向取向的吸附方式外，5CB还能以联苯基介于这两种晶向之间的中间取向实现稳定吸附。

    关键词： 5CB、石墨烯、密度泛函理论、液晶、吸附

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 无电极阳极氧化纳米光刻技术用于低维材料

    摘要： 基于局部阳极氧化（LAO）的扫描探针光刻技术为广泛应用提供了强大而通用的纳米光刻工具。然而，由于需要预制的微电极来传导驱动电流，其实际应用受到极大限制。我们在此报道一种新型无电极LAO技术，该技术能以高度灵活性和精度对现成的低维材料及异质结构进行原位图案化。与依赖直流电的传统LAO不同，这种无电极LAO通过电容耦合施加高频（>10 kHz）交流电驱动，无需接触式电极，甚至可用于修饰绝缘材料。利用该技术，我们在绝缘衬底上实现了石墨烯、六方氮化硼（hBN）和碳纳米管（CNTs）的灵活纳米光刻，精度达约10纳米。此外，该无电极LAO具有高蚀刻质量且不留氧化残留物。这种具有高蚀刻质量的原位无电极纳米光刻技术，为制备超洁净、高度灵活的纳米级器件和异质结构开辟了新途径。

    关键词： 无电极局部阳极氧化、石墨烯、高频交流电压、低维材料、扫描探针光刻

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 石墨烯

    摘要： 石墨烯是指由碳原子排列成平坦二维（2D）蜂窝状晶格的单层结构。它属于碳纳米结构家族，该家族已获得两项诺贝尔奖，并在过去几十年成为研究开发的热点，其知名成员包括零维（0D）富勒烯（或巴基球）、一维（1D）碳纳米管和三维（3D）石墨，如图3.2.1所示。自2004年被发现以来，石墨烯因其卓越的物理特性（包括高载流子迁移率、光学透明性、柔韧性和化学稳定性）而备受关注。本征石墨烯具有零能带隙（Eg），这使其无法像具有明确能带隙的传统半导体那样使用。然而，石墨烯的低载流子密度和高载流子迁移率意味着它可以成为一种兼具高电导率和光学透明性的优异透明导体（TC）。因此，石墨烯是透明导电氧化物（TCO）的极佳替代品，后者广泛应用于各种光子和光电子领域，包括柔性显示器、发光器件、探测器、触摸屏、晶体管、机电谐振器、超级电容器和光伏（PV）技术。

    关键词： 光伏、光电子学、石墨烯、透明导体、化学气相沉积

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 提高氧化石墨烯-半导体平面型电子源在纳米卫星中和器中的电子发射效率

    摘要： 基于氧化石墨烯-半导体（GOS）的平面型电子源在纳米卫星中和极方面具有巨大潜力。为进一步提高其电子发射效率，研究人员通过降低石墨烯生长温度来抑制绝缘层损伤。将石墨烯生长温度控制在800°C的低温条件下，使GOS器件的电子发射效率从1%提升至23.6%。

    关键词： 纳米卫星、电推进、电子发射装置、石墨烯

    更新于2025-09-23 15:21:21