修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

过滤筛选

出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 石墨烯
  • 氧化石墨烯
  • 石墨烯量子点
  • 还原氧化石墨烯
  • 太赫兹
  • 光电探测器
  • 化学气相沉积
  • 纳米复合材料
  • 光催化
  • 二维材料
应用领域
  • Optoelectronic Information Science and Engineering
  • Nanomaterials and Technology
  • Materials Science and Engineering
  • Physics
  • Optoelectronic Information Materials and Devices
  • Composite Materials and Engineering
  • Polymer Materials and Engineering
  • Applied Physics
  • Electronic Science and Technology
  • Chemistry
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Wuhan University of Technology
  • University of Science and Technology of China
  • Tohoku University
  • Jiangsu University
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Southeast University
  • Shenzhen University
  • Ningbo University
  • Sungkyunkwan University
692 条数据
?? 中文(中国)
  • 二维材料光电子学在信息功能器件应用中的现状与挑战

    摘要: 石墨烯及其衍生的二维材料已被证实具有丰富的独特光电特性,例如宽带光学响应、强且可调的光-物质相互作用,以及在柔性纳米尺度下的快速弛豫。这些材料与光纤、波导、光栅和谐振器等光学平台相结合,近期催生了多种有源和无源应用。本文全面综述了石墨烯、过渡金属二硫化物、黑磷、MXene及其衍生的范德华异质结构的光电特性,随后介绍了这些二维材料基光学结构的实现设计与制备。接着,从激光器到发光器件、频率转换器、调制器、探测器、等离子体发生器及传感器等各类器件被逐一阐述。最后,二维材料基光电子学的前沿研究进展为信息科学与纳米技术实现新概念和高性能应用提供了可行途径,并对发展趋势与重要研究方向提出了展望。

    关键词: 过渡金属二硫化物、光电子学、MXene、范德华异质结构、信息器件、石墨烯、黑磷、二维材料

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 由石墨烯/纳米管异质结实现的狄拉克源场效应晶体管中的跨导放大

    摘要: 陡坡器件因其高跨导效率(gm/Ids)突破了金属氧化物半导体场效应晶体管极限(38.5 V?1),被预测能为模拟集成电路应用提供卓越性能。基于石墨烯/碳纳米管(CNT)异质结,我们探究了狄拉克源场效应晶体管(DSFET)作为模拟晶体管的潜在优势。实验首次在单根碳纳米管DSFET中实现了超过四个数量级电流范围、突破38.5 V?1的高gm/Ids,峰值达到66 V?1,创下所有报道晶体管的新纪录。值得注意的是,这种高gm/Ids不仅存在于亚阈值区,还能在超阈值区实现跨导放大。在-0.1V低偏压下,最佳峰值跨导超过每管20μS,较常规短栅长碳纳米管FET提升约三倍。凭借超越其他先进器件的特性,这种扩展的高跨导效率显著提升了DSFET在高精度模拟领域的竞争力。

    关键词: 碳纳米管、异质结、狄拉克源、石墨烯、场效应晶体管

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于集成石墨烯/铁电材料的等离子体随机存取存储器(P-RAM)

    摘要: 我们提出并模拟了一种基于石墨烯/铁电材料的集成等离子体随机存取存储器(P-RAM),该设计利用了锆钛酸铅(PZT:PbZr0.3Ti0.7O3)中的铁电畴。当通过调节外加偏压切换铁电薄膜的极化方向时,该P-RAM在两个透射水平间呈现双稳态特性。仿真结果表明:当对500纳米长的P-RAM施加从-1.5V至+6V(及反向)扫描电压时,其可能的消光比可达约18分贝。这种工作在7微米波长的集成P-RAM可通过测量两个明显不同的透射水平来实现存储功能。该集成存储器件同时具备锁存型等离子体开关功能,且无需任何外部单元来产生所需的等离子体波。在导通状态下,穿过存储单元的等离子体模式波长约为156纳米,其对应的传播长度(约5.57微米)超过整个P-RAM长度的两倍半。这款无耦合损耗、仅占2平方微米面积的集成P-RAM,有望成为信息存储及未来等离子体芯片开发的应用器件。为获得所述数值结果,我们采用COMSOL多物理场软件,通过三维有限元法(FEM)求解了完整的麦克斯韦方程组。

    关键词: 铁电、等离子体随机存取存储器、石墨烯、锆钛酸铅(PZT)

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 普鲁士蓝纳米立方体-二氧化锡量子点-还原氧化石墨烯三元纳米复合材料:一种高效的非贵金属电催化剂,用于过氧化氢的非酶检测

    摘要: 开发用于非酶H2O2检测的非贵金属电催化剂极具吸引力。本研究采用简便的两步法合成了PBNCs/SnO2量子点/RGO三元纳米复合材料,通过TEM、SEM、XPS和XRD技术表征了其结构与形貌特征。将该三元纳米复合材料作为电极材料,采用安培法进行H2O2电化学检测。在最优条件下,该材料对H2O2的电催化还原表现出优异性能,线性动态范围达25-225 μM(R2=0.996),检测限低至71 nM(信噪比3)。与近期文献相比,该修饰电极具有更宽的线性范围和更低的检测限。此外,该修饰电极对多种常见干扰物展现出优异的抗干扰能力?;诟萌擅赘春喜牧系男奘蔚缂谑导视τ弥谐晒τ糜谧岳此瓾2O2检测并获理想回收率。该材料在H2O2检测中的优异表现,有望推动新型非贵金属非酶电化学生物传感器的开发。

    关键词: 过氧化氢、石墨烯、非酶传感器、二氧化锡量子点、非贵金属电催化剂、普鲁士蓝纳米立方体

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 薄热氧化层上的晶圆级石墨烯场效应晶体管

    摘要: 在本研究中,我们展示了在10纳米热氧化硅衬底上制备背栅石墨烯场效应晶体管(GFETs)的可行性。通过比较转移化学气相沉积(CVD)石墨烯不同位置的器件迁移率,发现石墨烯器件存在n型掺杂现象,其狄拉克点位于理想值0V的±0.5V范围内。减小背栅介质厚度可降低工作电压范围(这是低功耗电子器件通常所需的特性),且器件在常温常压空气环境中工作时保持稳定。所测得的接触电阻与文献报道值相当,这为制备面向未来的低功耗石墨烯基纳米电子器件提供了可行性。

    关键词: 化学气相沉积石墨烯、n型掺杂、热氧化硅、迁移率、狄拉克点、低功耗电子器件、场效应晶体管、石墨烯、接触电阻

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于石墨烯微腔超材料的超紧凑动态可调谐等离子体太赫兹开关

    摘要: 我们提出并讨论了一种基于石墨烯微腔的紧凑型可调谐等离子体太赫兹(THz)超材料开关。由于石墨烯等离子体共振与法布里-珀罗振荡的共同作用,该超材料结构可从"开"态切换至"关"态,最大强度衰减超过95%(开关比大于30分贝)。通过调节石墨烯图案的费米能级,该开关的中心频率可在3.6至9.6太赫兹的宽频范围内进行调控。此外,该超材料结构对横电(TE)和横磁(TM)偏振光均具有宽入射角适用性,最高品质因数达15.5。本研究为芯片集成光子电路中高性能、宽范围可调谐的太赫兹开关开发提供了可能,且无需重构物理结构。

    关键词: 太赫兹、开关、石墨烯、超表面

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 层状组装法合成中空蛋黄壳结构CdS-石墨烯纳米复合材料及其优异的光催化活性与光稳定性

    摘要: 本文首次通过自下而上的模板导向逐层自组装方法,成功合成了一种直径340纳米的空心蛋黄-壳型CdS-石墨烯复合光催化剂(记作空心CdS@@GR)。该材料具有中空核结构,其2纳米厚的石墨烯(GR)壳层与空心CdS核之间保留了5~10纳米的独立空隙空间。我们提出了该空心CdS@@GR纳米复合材料的形成机理。得益于能吸收更多光、染料及催化剂分子的中空结构,以及空心CdS核与带空隙GR壳层之间的协同效应,该材料展现出增强的光催化性能。此外,GR壳层能有效?;dS免受光腐蚀,循环使用五次后仍保持优异稳定性?;谧杂苫痘袷笛楹陀馓秸爰际酰颐腔固岢隽舜死嗄擅捉峁箍赡艿墓獯呋?。这种空心蛋黄-壳结构纳米复合材料的设计与制备,为开发其他稳定高效的光催化剂以实现多样化太阳能转化提供了新途径。

    关键词: 石墨烯,硫化镉,中空蛋黄-壳型结构,稳定性,纳米复合材料,半导体

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 利用寄生石墨烯带实现太赫兹半蝶形天线的波束调控

    摘要: 本文提出了一种太赫兹频段可重构波束扫描平面天线。该结构由半领结天线及周围环形排列的石墨烯寄生片组成。研究通过三种不同状态评估天线性能:基板底部采用PEC接地板、化学势为0(模式A)和1(模式B)的石墨烯接地层。该天线在这三种状态下均设计用于1.2 THz特定频率。通过调控石墨烯寄生单元与接地板的电导率(即控制相应石墨烯段的化学势),可改变天线的波束指向与辐射方向图。此外,环绕天线的石墨烯寄生单元为辐射方向图与波束指向调整提供了高度自由度——在模式A/B中作为引向器,在PEC接地板状态下则充当反射器。当石墨烯单元化学势介于0至1之间且采用PEC接地板时,可获得优异的波束扫描能力。值得注意的是,通过调节石墨烯单元的不同化学势可控制天线增益与前后比。所设计天线在恒定φ平面内实现了0至180°的宽范围扫描角,以及左右方向的定向扫描。

    关键词: 太赫兹、石墨烯、可重构、波束转向、天线

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 金属氧化物与石墨烯在远红外发射性能方面的协同效应研究

    摘要: 高远红外(FIR)发射率材料因其能加速血液循环和新陈代谢,在现代医疗领域极具应用前景。本研究通过原位水热法合成了MnO?/石墨烯纳米片(GNPs)和Fe?O?/GNPs两类复合材料。MnO?或Fe?O?与GNPs之间均表现出对远红外发射的正协同效应。其中MnO?/GNPs(2%)在8-14微米波长范围内展现出0.981的超高远红外发射率,显著高于原始MnO?(0.940)和GNPs(0.878);Fe?O?/GNPs(1%)的发射率也高达0.953,远超原始Fe?O?(0.877)和GNPs。得益于石墨烯的大比表面积、轻质及薄层特性,MnO?和Fe?O?纳米晶在石墨烯表面生长并形成不同形貌。MnO?/GNPs(2%)形成了珊瑚状形貌,表明其具有高孔隙率表面,可暴露更多不稳定原子或分子。金属氧化物/GNPs的形貌特征被认为与GNPs和金属氧化物间的良好协同效应相关。因此,本研究表明金属氧化物/石墨烯复合材料在高性能远红外发射材料领域具有重要应用前景。

    关键词: 二氧化锰、石墨烯、远红外线发射、三氧化二铁

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 石墨烯中的太赫兹光电子学

    摘要: 石墨烯因其无带隙的线性能谱而具有非凡的载流子输运、光电及等离激元特性,这些特性可实现极高量子效率的多种功能,这是现有材料无法企及的。本文综述了石墨烯光电子学领域的最新进展,重点关注太赫兹(THz)电磁波谱范围内的物理机制与器件功能。石墨烯的光学响应由其光学电导率和非平衡载流子能量弛豫动力学决定,在光泵浦或电泵浦条件下可实现太赫兹辐射放大。最近已实现电流注入式太赫兹激光。石墨烯等离激元极化激元能显著增强太赫兹光与石墨烯物质的相互作用,使探测器响应度以及放大器/激光器增益获得巨大提升?;谑┑姆兜禄熘式峁箍商峁└腥で腋谀艿墓δ?。

    关键词: 石墨烯、等离子体激元、太赫兹、激光、光电子学

    更新于2025-09-23 15:21:01