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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 石墨烯
  • 氧化石墨烯
  • 石墨烯量子点
  • 还原氧化石墨烯
  • 太赫兹
  • 光电探测器
  • 化学气相沉积
  • 纳米复合材料
  • 光催化
  • 二维材料
应用领域
  • Optoelectronic Information Science and Engineering
  • Nanomaterials and Technology
  • Materials Science and Engineering
  • Physics
  • Optoelectronic Information Materials and Devices
  • Composite Materials and Engineering
  • Polymer Materials and Engineering
  • Applied Physics
  • Electronic Science and Technology
  • Chemistry
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Wuhan University of Technology
  • University of Science and Technology of China
  • Tohoku University
  • Jiangsu University
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Southeast University
  • Shenzhen University
  • Ningbo University
  • Sungkyunkwan University
692 条数据
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  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-2018年7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- GRACE：为未来石墨烯电子器件开发电学表征方法

    摘要： GRACE——为未来石墨烯电子学开发电学表征方法是欧洲计量创新与研究计划2016年规范性联合研究项目。该项目聚焦于石墨烯电学特性的测量，其目标是制定经验证的测量方法与规程（包括高通量测量范例），并与国际标准化委员会合作开展工作，旨在发起并制定专项文件标准。

    关键词： 导电薄膜、标准化、计量学、电变量、石墨烯、电子工业

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 石墨烯与聚合物的粘附：表面分析视角

    摘要： 聚合物与二维材料（如石墨烯）之间的高效粘附对于柔性器件或特殊涂层材料的开发至关重要，同时也决定了这些材料转移工艺的质量。本研究通过接触角（CA）测量，选取四种典型聚合物——低密度聚乙烯（LDPE）、聚丙烯（PP）、聚己二酸/对苯二甲酸丁二醇酯（PBAT）和聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（PVDF-TrFE），以及化学气相沉积（CVD）制备的石墨烯，探究它们之间的粘附现象。测量在模拟直接干法转移（DDT）工艺的热条件下进行，该工艺基于CVD石墨烯与聚合物在熔点温度以上的直接接触。通过比较材料的极性分量与色散分量值，表面分析能基于对两者粘附特性的理解预判转移效率。但流变特性与化学结构在此评估中同样关键，无论是通过分子量调控还是向聚合物薄膜表面引入化学基团。研究结果阐明了影响石墨烯-聚合物粘附现象的主要因素及其作用机制，为优化转移工艺中的石墨烯涂层提供了理论依据。

    关键词： 石墨烯、涂层、附着力、纳米材料、聚合物

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018.7.8-2018.7.13）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 美国国家标准与技术研究院石墨烯量子霍尔器件运输及与日本产业技术综合研究所砷化镓量子霍尔器件对比研究

    摘要： 美国国家标准与技术研究院（NIST）制造的两个石墨烯量子化霍尔电阻（QHR）器件被专人送至日本产业技术综合研究所（AIST），并与砷化镓量子化霍尔电阻器件及100欧姆标准电阻进行比对。使用石墨烯QHR器件测量100欧姆电阻的结果，与砷化镓测量的结果在5×10??范围内一致。初始测量后，研究团队在AIST调整了石墨烯器件的载流子密度，使其特性恢复到能在4至6特斯拉低磁场下运行。

    关键词： 载流子浓度、低温电流比较仪、石墨烯、量子化霍尔电阻、标准电阻

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 石墨烯中的离域非线性振动模式：二次谐波产生与负压

    摘要： 借助分子动力学模拟，分析了石墨烯中的离域非线性振动模式（DNVM）。这类模式由晶格对称性决定，它们是原子运动方程的精确解——与所采用的原子间势函数无关，且适用于任意振幅（尽管大振幅下通常不稳定）。本研究仅分析单组分和双组分DNVM，它们分别可简化为单自由度和双自由度的动力系统。存在4种单组分和12种双组分面内原子位移DNVM，每个双组分模式都包含一种单组分模式。当构成双组分模式的各模式振幅配置恰当时，两个自由度会呈现频率为ω和2ω的周期性振动，即发生二次谐波生成。特定DNVM产生的高次谐波频率可达石墨烯声子谱最大频率的近两倍。激发某些DNVM会导致石墨烯中出现负的面内压力，这一反直觉现象可通过碳六元环的旋转运动解释。本研究有助于理解石墨烯晶格的非线性动力学特性。

    关键词： 分子动力学、非线性动力学、二次谐波产生、离域非线性振动模式、石墨烯、负压

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018.7.8-2018.7.13）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 石墨烯量子电阻计量中的稳定可调载流子控制

    摘要： 我们在此展示了一种稳定且可调的方法，用于改变生长在碳化硅上的外延石墨烯的载流子浓度。该技术依赖于受主分子的化学掺杂。通过精细调节，可以制备出化学掺杂的石墨烯量子电阻器件，这些器件在环境条件下具有长期稳定性，其性能可与砷化镓量子电阻标准相媲美。这一进展为可控制造石墨烯量子霍尔电阻标准器件铺平了道路，这些器件开箱即可可靠地在低于5特斯拉和高于4开尔文的条件下工作，无需终端用户进一步调整。

    关键词： 量子霍尔效应、化学掺杂、石墨烯、测量标准

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）|| 基于电流-电压和阻抗测量的石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管分析

    摘要： 我们通过电流-电压特性和阻抗分析研究了石墨烯-二氧化硅-p型硅肖特基结二极管的电学性质。从实验数据中提取了理想因子、整流比和串联电阻。观察到石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管串联电阻相对于0至2V正向偏压变化呈现线性响应。

    关键词： 硅，肖特基二极管，阻抗分析，石墨烯

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过热退火驱动石墨烯-锗范德华界面处的化学相互作用

    摘要： 尽管石墨烯具有非凡的载流子迁移率，但其缺乏电子带隙的特性限制了其在电子设备中的应用。为解决这一问题，研究人员尝试通过化学改性原始石墨烯晶格来调控其电子能带结构。虽然已取得显著进展，但通常采用的强化学方法难以实现图案化与精准控制。本研究利用晶体锗(110)与外延石墨烯之间明确的范德华界面作为共价化学反应模板：通过在超高真空条件下对化学气相沉积合成的原子级纯净石墨烯-锗界面进行退火处理，驱动锗表面与石墨烯晶格间形成化学键。扫描隧道显微镜证实这些键合位点充当了电荷散射中心，拉曼光谱独立验证了石墨烯晶格内产生了原子尺度缺陷并呈现显著密度分布。这种化学改性的石墨烯有望推动下一代纳米电子学应用发展。

    关键词： 石墨烯、范德华界面、锗、拉曼光谱、化学键合、扫描隧道显微镜、热退火

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 利用局域轨道实现复杂电子体系中高精度大规模DFT计算：以石墨烯-金属界面为例

    摘要： 多年来，基于密度泛函理论（DFT）的计算模拟被广泛用于原子尺度研究多种材料。但其应用受体系尺寸限制，导致许多有趣材料缺乏高精度量子描述。本研究采用Conquest软件的局域基组（原始赝原子轨道形式及最新多中心方法），以同等精度计算了远超既往平面波方法规模的石墨烯-金属体系电子与结构性质。该多中心方案使我们即使在Rh(111)表面生长石墨烯（含/不含插层氧原子）这一复杂示例体系中，仍能兼顾精度与计算资源消耗。该体系提供了丰富研究场景，证明使用常规计算资源即可实现超过3000个原胞的高精度模拟，将成为重要基准案例。

    关键词： 石墨烯-金属界面，密度泛函理论，大规模模拟，局域轨道

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 低温晶圆级二硫化钼-石墨烯异质结构生长

    摘要： 在本研究中，我们成功展示了通过在石墨烯上沉积薄钼薄膜种子层，随后采用硫化氢等离子体硫化工艺，在4英寸晶圆上于300摄氏度下制备二硫化钼-石墨烯异质结构（MGH）。通过拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜确认，整个衬底上均匀生长了具有高密度硫空位的5-6层二硫化钼。利用X射线光电子能谱评估了石墨烯上二硫化钼的化学成分，测得钼与硫的原子比为1:1.78，远低于标准二硫化钼的化学计量值2:1。为利用本工艺获得的纳米晶缺陷MGH薄膜特性，我们将其用作加氢脱硫催化剂和析氢反应电催化剂。与在非晶二氧化硅衬底上生长的二硫化钼相比，该MGH具有更小的起始电位和塔菲尔斜率，表明其催化性能得到增强。这种实用的生长方法可推广至其他二维晶体，这些材料在电子器件和催化等广泛领域具有潜在应用价值。

    关键词： 等离子体增强化学气相沉积、石墨烯、大规模、异质结构、析氢反应、二硫化钼

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 面内应变对共格石墨烯/六方氮化硼超晶格的影响

    摘要： 由于原子级薄的结构特性，石墨烯/六方氮化硼（G/hBN）异质结构对外部机械力和施加于其晶格结构的形变具有高度敏感性。特别是应变会导致G/hBN电子特性的改变。此外，由石墨烯和hBN层错位引起的莫尔结构为G/hBN的电子行为引入了新特征。通过第一性原理计算，我们研究了在同时对两层施加面内应变时，不同堆垛缺陷的G/hBN中应变诱导的电子特性改变。我们观察到，在实验适用系统中，数个百分点量级的面内应变与莫尔图案相互作用，会导致显著的能谷偏移、带隙调制以及基底诱导的费米速度重整化的增强。此外，我们发现无论应变方向如何，当施加面内非等双轴应变时，锯齿方向对电子传输的效率会更高。

    关键词： 应变、石墨烯/六方氮化硼、莫尔图案、电子特性

    更新于2025-09-10 09:29:36