修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

过滤筛选

出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
研究主题
  • 石墨烯
  • 氧化石墨烯
  • 石墨烯量子点
  • 还原氧化石墨烯
  • 太赫兹
  • 光电探测器
  • 化学气相沉积
  • 纳米复合材料
  • 光催化
  • 二维材料
应用领域
  • Optoelectronic Information Science and Engineering
  • Nanomaterials and Technology
  • Materials Science and Engineering
  • Physics
  • Optoelectronic Information Materials and Devices
  • Composite Materials and Engineering
  • Polymer Materials and Engineering
  • Applied Physics
  • Electronic Science and Technology
  • Chemistry
机构单位
  • Chinese Academy of Sciences
  • Wuhan University of Technology
  • University of Science and Technology of China
  • Tohoku University
  • Jiangsu University
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Southeast University
  • Shenzhen University
  • Ningbo University
  • Sungkyunkwan University
692 条数据
?? 中文(中国)
  • 扶手椅型锗烯纳米带的电子和光学性质

    摘要: 采用第一性原理计算研究了扶手椅型锗烯纳米带(AGeNRs)的电子和光学性质。计算了AGeNRs的能带结构、带隙尺寸、投影态密度(PDOS)以及介电函数,并进一步探究了这些参数随不同纳米带宽度的变化规律。随着纳米带宽度增加,本征AGeNRs的带隙尺寸呈现三种递减趋势?;谡庑┣魇?,可将AGeNRs划分为n=3P、n=3P+1、n=3P+2三类(其中n为宽度方向的锗原子数,P为整数)。这三类材料均为直接带隙体系,其带隙大小顺序为:EG(3P+2) < EG(3P) < EG(3P+1)。由于具有直接带隙特性,所有AGeNRs类别均适用于光学应用。本工作模拟结果表明,AGeNRs适合用于红外波段的光学器件。此外,研究还考察了一维拉伸/压缩应变对AGeNRs带隙尺寸和介电函数的影响,证实通过应变可在较宽范围内调控其电子与光学性质。

    关键词: 电子与光学性质、硅烯、带隙尺寸、石墨烯、锗烯纳米带

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 石墨烯/多壁碳纳米管复合巴基纸的电磁干扰屏蔽性能

    摘要: 制备了一种轻质柔性的石墨烯/多壁碳纳米管(MWCNT)杂化巴基纸(BP),该材料无需聚合物即可展现出优异的电磁干扰屏蔽效能(SE)。厚度为130微米的石墨烯/MWCNT杂化BP在8GHz频率下电磁屏蔽效能高达约51分贝,显著高于同厚度纯MWCNT巴基纸(约32.5分贝),其最佳电导率可达10,000西门子/米。更重要的是,电磁屏蔽效能的提升主要源于吸收损耗,而反射损耗几乎未发生变化。这种类纸材料表面光滑、坚韧且具有足够柔性,可贴合复杂曲面结构。本研究为轻质柔性电磁屏蔽材料及器件中石墨烯和MWCNT的充分利用提供了简便途径。

    关键词: 巴基纸,柔性,轻质,多壁碳纳米管,石墨烯,电磁干扰屏蔽

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 利用石墨烯场效应晶体管检测肝细胞癌患者血浆中的甲胎蛋白

    摘要: 血浆中甲胎蛋白(AFP)的检测对人类肝细胞癌(HCC)的诊断具有重要意义。我们开发了一种基于石墨烯场效应晶体管(G-FET)的生物传感器,用于检测HCC患者血浆及磷酸盐缓冲液(PBS)中的AFP。该G-FET通过1-芘丁酸N-羟基琥珀酰亚胺酯(PBASE)功能化修饰以固定抗AFP抗体。通过检测AFP与抗AFP抗体固定的G-FET通道表面结合后狄拉克点电压偏移量(?VDirac)实现AFP检测。这种抗AFP抗体固定的G-FET生物传感器在PBS中可检测到0.1 ng mL?1浓度的AFP,检测灵敏度为16.91 mV;在HCC患者血浆中可检测到12.9 ng mL?1浓度的AFP,检测灵敏度为5.68 mV。灵敏度(?VDirac)随PBS或HCC患者血浆中AFP浓度变化而改变。这些数据表明G-FET生物传感器在诊断领域具有实际应用价值。

    关键词: 甲胎蛋白、生物传感器、石墨烯、肝细胞癌、场效应晶体管

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [IEEE 2018年第20届透明光学网络国际会议(ICTON) - 布加勒斯特(2018年7月1日-2018年7月5日)] 2018年第20届透明光学网络国际会议(ICTON) - 基于瞬态吸收饱和的泵浦-探测纳米显微技术

    摘要: 本文提出一种通过瞬态吸收过程饱和实现超分辨无标记光学显微成像的方法。我们基于商用共聚焦显微镜开发了一套新型且易于实施的装置。通过观察化学气相沉积(CVD)法制备的玻璃表面单层石墨烯(SLG),验证了该系统的成像能力。利用近红外飞秒脉冲激光束及瞬态吸收饱和效应,我们实现了低于λ/10纳米的分辨率。

    关键词: 吸收饱和、纳米显微技术、近红外、泵浦-探测、受激发射损耗、石墨烯

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [实验医学与生物学进展] 生物仿生医用材料 第1064卷(从纳米技术到3D生物打?。﹟| 基于石墨烯的纳米材料及其在生物传感器中的应用

    摘要: 自2004年诺沃肖洛夫基于胶带法首次观测到晶体石墨烯以来(Novoselov等,2004),这种材料便引起了巨大关注。这种单原子厚度的二维材料"石墨烯"之名由"石墨"和"-烯"两个概念构成。其厚度为石墨层间距离0.335纳米,是迄今开发的所有纳米材料中最薄的。石墨烯强度是钢的100-300倍,杨氏模量达0.5-1.0太帕,本征强度为130吉帕(Lee等,2008)。室温电子迁移率达2.5×10?平方厘米/伏·秒(Mayorov等,2011),最大电流密度可达铜的数百万倍(Liu等,2007)。这种单原子厚晶体材料具有3000瓦/米·开尔文的高热导率(Balandin等,2008)和97.7%的高光学透过率(Nair等,2008)。正是这些卓越特性使其荣获2010年诺贝尔物理学奖,并广泛应用于传感器、电子器件、能源及生物等领域。

    关键词: 电化学检测、石墨烯、纳米材料、生物传感器、量子点

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 混合维度石墨烯/单根CdSe纳米带肖特基结中的势垒高度不均匀性

    摘要: 制备了混合维度的石墨烯/单根CdSe纳米带(Schottky结),并研究了肖特基势垒不均匀性对电输运机制的影响。当温度从300K降至80K时,理想因子增大而零偏压肖特基势垒高度(SBH)单调递减。这种温度依赖的电输运特性可通过肖特基势垒不均匀性解释,该不均匀性可能源于制备态石墨烯中不可避免的晶界、形貌起伏和电荷坑洼,以及CdSe纳米带表面的态密度和非均匀掺杂浓度。我们采用空间电势涨落模型分析导电机制,假设肖特基势垒呈高斯分布。在80-140K和140-300K区间内,肖特基势垒分布的标准差分别达到零偏压势垒高度平均值的13.06%和14.09%,表明典型石墨烯/CdSe纳米带结中存在显著的势垒不均匀性。本研究揭示了石墨烯/CdSe纳米带界面的基本物理特性,可为未来基于石墨烯的纳米器件设计与应用提供参考。

    关键词: 石墨烯、非均匀性、硒化镉纳米带、肖特基结

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [化学建模] 化学建模 第14卷(第14卷)|| 从石墨烯到硼烯:迷人的二维材料

    摘要: 自然界中,任何化学元素的单原子自由悬浮薄片都不存在,也没人能想象这种结构的存在。然而科学家成功合成了硼或碳的单原子薄片并研究了其特性。因此,单层薄片如今作为具有独特电子、机械、光学和磁性能的二维材料备受关注,它们在纳米技术领域也具有潜在应用价值。

    关键词: 硼烯、纳米技术、石墨烯、二维材料、电子特性

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过三层六方氮化硼隧道势垒实现石墨烯的高效自旋注入

    摘要: 我们研究了完全封装在六方氮化硼(hBN)中的双层石墨烯的自旋注入特性,其中包括三层(3L)六方氮化硼(hBN)隧道势垒。随着直流偏压的变化,微分自旋注入极化率在约250 mV直流偏压下上升至60%。我们测得其直流自旋极化率为50%,比2L-hBN高30%。通过局部双端自旋输运测量证实,该高极化率在室温下依然成立。我们观察到Co/2L-hBN和Co/3L-hBN向石墨烯的微分自旋注入效率相当,由此推断钴与石墨烯之间可能的交换相互作用并非偏压依赖性的起源。此外,研究结果表明施加直流偏压产生的局域栅控效应也不是造成直流偏压依赖性的原因。我们讨论了载流子密度相关的自旋注入效率测量,发现微分自旋注入极化率未出现显著调制。同时分析了面内与面外自旋注入的偏压依赖性,得出自旋注入极化率具有各向同性且不随偏压变化的结论。

    关键词: 自旋极化、六方氮化硼隧道势垒、直流偏压、石墨烯、自旋注入

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 解开石墨烯/锗(110)的结构与电子特性

    摘要: 在半导体衬底上直接生长石墨烯为未来基于石墨烯的应用开辟了新途径。理解半导体表面石墨烯的结构和电子特性是实现此类结构的关键,然而这些特性迄今尚未被充分认知。本研究揭示了直接生长在Ge(110)衬底上石墨烯的结构与电子特性。扫描隧道显微镜(STM)研究表明,在Ge(110)表面覆盖石墨烯会促进新型锗表面重构(即(6×2)超结构)的形成——这种重构在裸露的Ge(110)表面从未被观测到。该体系的电子特性同时呈现石墨烯与锗的特征:扫描隧道谱(STS)测得的微分电导(dI/dV)谱具有抛物线结构(对应石墨烯费米速度降低),并展现出源自锗p轨道的额外峰位。密度泛函理论(DFT)计算证实了这些源自锗p轨道的表面态存在。

    关键词: 密度泛函理论计算、扫描隧道显微镜、锗(110)面、扫描隧道谱学、石墨烯、锗表面重构

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 过渡金属二硫化物-石墨烯范德华异质结构中的室温谷极化与相干性

    摘要: 由石墨烯和过渡金属二硫化物(TMD)构成的范德瓦尔斯异质结构,是光电、自旋电子及谷电子器件的新兴平台——这类器件既能利用TMD材料中(i)强烈的光-物质相互作用与自旋-谷锁定效应,又能发挥石墨烯(ii)卓越的电子与自旋传输特性。此类器件的运行需要显著的谷极化与谷相干性,理想情况下应维持至室温。本研究通过全面的穆勒偏振测量分析发现:单层二硫化钨(WS?)/石墨烯异质结构在室温下可实现高达40%的无伪影谷极化度,更值得注意的是谷相干度达到20%。当温度降至20K时,我们测得创纪录的60%谷相干度(超过50%的谷极化度),表明样品基本不受纯退相位过程影响。二硒化钼(MoSe?)的谷对比度即使在低温下也极难观测,而当单层MoSe?与石墨烯结合后,其室温谷极化度与相干度分别高达14%和20%。结合近期关于TMD/石墨烯异质结构中层间激子与载流子高效转移的报道,我们的研究结果为室温手性光-物质相互作用及谷光电器件开发提供了新可能。

    关键词: 穆勒偏振测量、自旋谷锁定、过渡金属二硫化物、石墨烯、手性光学、光谷电子学、激子

    更新于2025-09-10 09:29:36