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DBD-300M-A 光电探测器 光电探测器

DBD-300M-A 光电探测器

分类： 光电探测器

厂家： LD-PD

产地： 新加坡

型号： DBD-300M-A

更新时间： 2025-04-27T05:29:15.000Z

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标签：

高带宽 探测器 光纤传感 低噪声 光电 激光测距

简介：

该产品集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器和低噪声宽带跨阻放大器，采用蝴蝶封装，单电源供电。能够有效降低信号的共模噪声，提高系统的信噪比。该探测器兼具原?？樾阅芎托∏汕岜?、低功耗的优点，特别适合?？楹拖低臣伞?/p>

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概述

InGaAs Butterfly Balance Photodetector是一款低噪声、高带宽的光电探测器，适用于光纤传感、多普勒风激光雷达等应用。

参数

  • 产品型号 / ProductModel : DBD-100M-ADBD-200M-ADBD-300M-ADBD-400M-ADBD-1G-ADBD-2G-A
  • 探测器型号 / DetectorModel : InGaAs
  • 响应度 / Responsivity : 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 A/W@1550nm
  • 跨阻增益 / TransimpedanceGain : 30K 30K 30K 10K 30K 15K V/A
  • 共模抑制比 / CMRR : >30 >30 >30 >30 >30 >30 dB
  • 饱和输入光功率 / SaturatedInput : 130 130 130 390 130 260 μW
  • 噪声等效功率 / NEP : 5 5 5 7 9 9 pW/Sqrt(Hz)
  • 输出阻抗 / OutputImpedance : 50 50 50 50 50 50 Ω
  • 输出耦合模式 / OutputCoupling : DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC AC AC
  • SupplyVoltage / SupplyVoltage : 5 5 5 5 12 12 V
  • 供电电流 / SupplyCurrent : 0.2(max) 0.2(max) 0.2(max) 0.2(max) 0.2(max) 0.2(max) A
  • 光输入接口 / OpticalInput : SM FC/APC（PM选择）
  • 射频输出 / RadioFrequency : MCX（Female）
  • 外形尺寸 / ShapeSize : 25*22*10.5 mm

应用

1. 光纤传感 2. 多普勒风激光雷达 3. 光学相干断层成像（OCT） 4. 激光测距 5. 光谱分析

特征

1. 低噪声 2. 高带宽 3. 高跨阻增益 4. 紧凑结构 5. 内置低噪声隔离

图片集

DBD-300M-A图1
DBD-300M-A图2
DBD-300M-A图3

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厂家介绍

LD-PD公司成立于2004年，是一家提供低成本光电探测器、激光二极管和相关驱动产品的领先供应商之一。LD-PD的核心能力是其在设计和制造高功率、高可靠性激光二极管方面的专业知识。此外，LD-PD自2008年以来一直是硅探测器和高速锗晶体管和二极管的制造商，自2010年以来一直是红外光电探测器的制造商。LD-PD公司提供用于辐射检测和电信应用的Si、Ge、p-n、APD和InGaAs p-I-n高速大面积光电探测器。LD-PD根据MIL-I-45208维护检查系统。光电二极管符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规范。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • EL452-G Series 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

    EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器，包含一个红外发光二极管，光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

  • EL815 Series 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器，提供宽引脚间距和表面贴装选项。

  • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管探测器，提供高电流传输比和高输入输出隔离电压，适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

  • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

    击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

    低电容硅光电二极管芯片，专为α粒子检测设计，提供两种尺寸，兼容导电环氧安装，包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

  • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

    工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA

    4.2mm硅PIN光电二极管，具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围，适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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