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UBD-500M-A 光电探测器 光电探测器

UBD-500M-A 光电探测器

分类: 光电探测器

厂家: LD-PD

产地: 新加坡

型号: UBD-500M-A

更新时间: 2025-04-27T06:12:24.000Z

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光电 激光 光纤传感 低噪声 探测器 高灵敏度

UBD系列超低噪声平衡探测器模块是基于原始MBD系列的升级产品。与原始MBD系列相比,在其他参数相同的条件下,其背景噪声显著降低。在相同的带宽和增益条件下,其背景噪声约为MBD系列模块的三分之一。因此,它的灵敏度更高,信噪比更高。

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概述

InGaAs Ultra-Low Noise Balance Photodetector是一款高灵敏度的超低噪声探测器,适用于光纤传感、多普勒风激光雷达、OCT等应用。

参数

  • 响应度 / Responsivity : 0.95 A/W@550nm
  • 跨阻增益 / Transimpedance Gain : 30K, 30K, 30K, 20K, 10K, 30K, 30K, 30K, 30K, 30K, 30K V/W
  • 饱和输入光功率 / Saturated Input Optical Power : 140, 140, 140, 210, 420, 140, 140, 140, 140, 140, 140 μW
  • 噪声等效功率 / NEP : 2.5, 2.5, 2.5, 2.9, 3.1, 3.1, 3.1, 3.1, 3.1, 3.1, 3.1 pW/Sqrt(Hz)
  • 共模抑制比 / CMRR : >30 dB
  • 输出阻抗 / Output Impedance : 50 Ω
  • 输出耦合方式 / Output Coupling Mode : DC/AC, DC/AC, DC/AC, DC/AC, DC/AC, AC, AC, AC, AC, AC, AC
  • 供电电流 / Supply Current : 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x, 0.5(mA) x
  • 光输入 / Optical Input : FC/APC(或自由空间)
  • 射频输出 / Radio Frequency Output : SMA

应用

1. 光纤传感 2. 多普勒风激光雷达 3. OCT 4. 激光测距 5. 光谱测量

特征

1. 低噪声 2. 高带宽 3. 高跨阻增益 4. 紧凑结构 5. 内置低噪声隔离电源

图片集

UBD-500M-A图1
UBD-500M-A图2
UBD-500M-A图3
UBD-500M-A图4
UBD-500M-A图5
UBD-500M-A图6

规格书

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厂家介绍

LD-PD公司成立于2004年,是一家提供低成本光电探测器、激光二极管和相关驱动产品的领先供应商之一。LD-PD的核心能力是其在设计和制造高功率、高可靠性激光二极管方面的专业知识。此外,LD-PD自2008年以来一直是硅探测器和高速锗晶体管和二极管的制造商,自2010年以来一直是红外光电探测器的制造商。LD-PD公司提供用于辐射检测和电信应用的Si、Ge、p-n、APD和InGaAs p-I-n高速大面积光电探测器。LD-PD根据MIL-I-45208维护检查系统。光电二极管符合Telcordia测试要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883测试方法和/或客户规范。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • EL452-G Series 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

    EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器,包含一个红外发光二极管,光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

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    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器,提供宽引脚间距和表面贴装选项。

  • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器,包含红外发光二极管和光电晶体管探测器,提供高电流传输比和高输入输出隔离电压,适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

  • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

    击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

    低电容硅光电二极管芯片,专为α粒子检测设计,提供两种尺寸,兼容导电环氧安装,包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

  • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

    工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA

    4.2mm硅PIN光电二极管,具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围,适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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