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在电子制造与研发领域，如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用，提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证，该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景，并分享提升
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概述
ES‐SEHRPN12 AlGaInP PN系列LED芯片具有高发光强度，适用于户外显示、交通信号和汽车等多种应用。
应用
1. 户外显示 2. 交通信号 3. 汽车
特征
1. 高发光强度 2. 薄膜结构 3. 纵向电极 4. 高驱动电流
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厂家介绍
1996年，在固态照明成为今天无处不在的商品和备受期待的光源的几十年前，一些有远见的人创立了EpiStar，开创了LED时代。先进手的知识和洞察力使EpiStar在外延方面取得了高端的生产和工程创新。凭借积累的专业知识和不断扩大的产能，EpiStar如今已成为全球首屈一指的供应商。EpiStar已经与世界各地一些较知名的品牌合作，在手机屏幕、笔记本电脑、电视等领域推广LED应用。EpiStar正在将有益的固态照明带入日常生活。EpiStar始终重视与客户的关系，因为我们相信，在紧密交织的LED行业中，与客户密切合作对于生产较高质量的较终产品至关重要。这就是为什么EpiStar开发了一种独特的“共同激活服务模式”，与客户合作，共同设计芯片和生产流程，同时完善质量控制。通过这种紧密的合作伙伴关系，EpiStar能够满足下游企业和消费者的不同需求，并在本质上满足每一个EpiStar合作伙伴的客户。
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图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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ES-SMSOPN42B AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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ES-SMSOPN20R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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ES-SMYLPN14R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
厚度: 8.8 mil (225±25 μm) N电极尺寸: 4.5 mil (115±10 μm) 正向电压Vf1: 1.3 V
ES-SMYLPN14R AlGaInP PN系列LED芯片具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等应用。
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