在现代制造业中,激光加工技术以其高精度、高效率和非接触式的特性,成为电子电工领域不可或缺的先进工艺。无论是微米级的半导体器件雕刻,还是工业级金属切割,理解激光加工的加工原理都至关重要。它不仅直接关系到产品质量和生产成本,更影响着从电工工具制造到整个配电系统关键部件的性能与可靠性。那么,激光究竟是如何实现如此精密的加工过程的?其核心原理又涉及哪些关键的电工电子
概述
参数
- 芯片尺寸 / Chip Size : 2.3×7.35mm2
- 有效面积 / Active Area Small Cell : 2.0×2.0mm2
- 有效面积 / Active Area Large Cell : 2.0×5.0mm2
- 元素间距 / Gap : 0.05mm
- 短路电流 / Short Circuit Current Isc : 40-100μA
- 短路电流温度系数 / Isc Temperature Coefficient TC Isc : 1.1%/°C
- 开路电压 / Open Circuit Voltage Voc : 364mV
- 开路电压温度系数 / Voc Temperature Coefficient TC Voc : -2.2mV/°C
- 暗电流 / Dark Current Small Cell : 5nA
- 暗电流 / Dark Current Large Cell : 10nA
- 上升时间 / Rise Time : 18-25ns
- 暗电流温度系数 / Temp Coefficient Of Id Tco : 0.18%/°C
- 前向电压 / Forward Voltage Vf : 1.0V
- 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage VBR : 60V
- 结电容 / Junction Capacitance Cj Small Cell : 8pF
- 结电容 / Junction Capacitance Cj Large Cell : 5pF
- 光敏度 / Photo Sensitivity Sλ : 0.38-0.64A/W
- 通道间串扰 / Crosstalk Channel-To-Channel : 0.1-5%
- 光谱应用范围 / Spectral Application Range λRange : 400-1100nm
- 光谱响应峰值 / Spectral Response-Peak λP : 940nm
- 分流电阻 / Shunt Resistance Rsh : 0.5GΩ
- 角度响应50%响应点 / Angular Resp 50% Resp Pt θ1/2 : ±55°
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power NEP Small Cell : 6.5×10^-14W/√Hz
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power NEP Large Cell : 9.1×10^-14W/√Hz
- 比探测度 / Specific Detectivity D* Small Cell : 3.1×10^12cm(Hz)1/2/W
- 比探测度 / Specific Detectivity D* Large Cell : 3.5×10^12cm(Hz)1/2/W
应用
1. 跟踪控制 2. 边缘驱动 3. 工业电子
特征
1. 定位性能最佳 2. 高速响应 3. 低噪声
图片集
规格书
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