概述

参数

• 芯片尺寸 / Chip Size : 5.715×11.303×2 mm2
• 有效区域 / Active Area : 5.365×10.953×2 elements mm2
• 元素间距 / Gap : 0.5 mm
• 短路电流 / Short Circuit Current Isc : 134 μA
• 短路电流温度系数 / Isc Temperature Coefficient TC Isc : 1.2 %/°C
• 开路电压 / Open Circuit Voltage Voc : 347 mV
• 开路电压温度系数 / Voc Temperature Coefficient TC Voc : -2.2 mV/°C
• 暗电流 / Dark Current I0 : 1 nA
• 上升时间 / Rise Time Tr : 500 ns
• 暗电流温度系数 / Temp Coefficient Of I0 TCI0 : 0.18 times/°C
• 前向电压 / Forward Voltage Vf : 1.3 V
• 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage VBR : 60 V
• 结电容 / Junction Capacitance Cj : 25 pF
• 光敏度 / Photo Sensitivity Sλ : 0.38 A/W
• 通道间串扰 / Crosstalk Channel-To-Channel : 0.1-0.5 %
• 光谱应用范围 / Spectral Application Range λRange : 400-1100 nm
• 光谱响应峰值 / Spectral Response-Peak λP : 940 nm
• 分流电阻 / Shunt Resistance Rsh : 0.01 GΩ
• 分流电阻温度系数 / Rsh Temperature Coefficient TC Rsh : 0.18 %/°C
• 角度响应50%响应点 / Angular Resp 50% Resp Pt θ1/2 : ±60 Degrees
• 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power NEP : 6.25×10^-14 W/Hz^1/2
• 特定探测率 / Specific Detectivity D* : 1.6×10^13 cm(Hz)1/2/W

应用

特征

图片集

规格书

厂家介绍