在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
参数
- 波长范围 / Wavelength Range : 200-1100nm
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 800nm
- 有效直径 / Active Diameter : 3000μm
- 有效区域 / Active Area : 7.07mm2
- 暗电流 / Dark Current : 6.3-35nA
- 结电容 / Junction Capacitance : 20pF
- 反向击穿电压 / Reverse Breakdown Voltage : 90-110V
- 工作电压温度系数 / Operating Voltage Temperature Coefficient : 0.4V/°C
- 上升时间 / Rise Time : 10ns
- 截止频率 / Cut-Off Frequency : 25MHz
- 最大倍增增益 / Maximum Multiplication Gain : 100
- 响应度 / Responsivity : 22A/W
- 工作电压 / Operating Voltage : 0.95×VBR
- 正向电流 / Forward Current : 1mA
- 功耗 / Power Dissipation : 60mW
应用
1. 低光照度测量 2. 分析仪器 3. 荧光测量 4. 医疗仪器
特征
1. 顶部照明平面APD 2. Φ3000um有效面积 3. 低偏压高增益 4. 工作温度范围-40至+80℃
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