概述

参数

• 芯片材料 / Chip Materials : InGaN
• 发光颜色 / Emitted Color : White
• 直流正向电流 / DC Forward Current (MA) : 350mA
• 峰值脉冲电流 / Peak Pulse Current (MA) : 1500mA
• ESD抗性 / ESD Resistance (V) : 8000V
• 反向电压 / Reverse Voltage (V) : 1V
• 结温 / Junction Temperature (°C) : 125°C
• 热阻 / Thermal Resistance (Junction To Lead) (°C/W) : 10°C/W
• 工作温度 / Operating Temperature (°C) : -40~+85°C
• 储存温度 / Storage Temperature (°C) : -40~+110°C
• 功率耗散（脉冲模式） / Power Dissipation (Pulse Mode) (W) : 6W
• 焊接温度 / Soldering Temperature (°C) : 260°C
• 允许回流焊次数 / Allowable Reflow Cycles : 2 cycles
• 视角 / Viewing Angle (°) : 125°
• 光通量 / Luminous Flux (Lm) : 200~300lm
• 正向电压 / Forward Voltage (V) : 2.95~4.35V
• 相关色温 / Correlated Color Temperature (K) : 5000~7000K
• 光效 / Optical Efficiency @1000mA (Lm/W) : 65lm/W
• 湿度敏感等级 / Moisture Sensitivity Level (MSL) : Class 1
• 分组参数 / Grouping Parameter : 总光通量、色坐标
• RoHS合规 / RoHS Compliance : Pb free
• 光通量分档范围 / Bin Range Of Luminous Intensity (Lm) : 200~300lm
• 正向电压分档范围 / Bin Range Of Forward Voltage Binning (V) : 2.95~4.35V
• 白光分档坐标 / White Bin Coordinate : CIE-X: 0.3272~0.3524, CIE-Y: 0.3888~0.4261
• 典型光谱分布 / Typical Spectral Distribution : 400~800nm
• 典型辐射模式 / Typical Radiation Patterns : Lambertian
• 正向电压与正向电流关系 / Forward Voltage Vs Forward Current : 2.4~4.2V
• 相关色温与正向电流关系 / Correlated Color Temperature (CCT) Vs Forward Current : 5000~7000K
• 光通量与正向电流关系 / Luminous Flux Vs Forward Current : 0.25~1.5lm
• 正向电流降额曲线 / Forward Current Derating Curve : 基于Tjmax=125°C，焊接温度<70°C

应用

特征

图片集

规格书

厂家介绍