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在现代制造业中，激光加工技术以其高精度、高效率和非接触式的特性，成为电子电工领域不可或缺的先进工艺。无论是微米级的半导体器件雕刻，还是工业级金属切割，理解激光加工的加工原理都至关重要。它不仅直接关系到产品质量和生产成本，更影响着从电工工具制造到整个配电系统关键部件的性能与可靠性。那么，激光究竟是如何实现如此精密的加工过程的？其核心原理又涉及哪些关键的电工电子
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概述
EL847系列是一款16针DIP封装的光电晶体管光耦合器，提供四个隔离通道，适用于多种电子设备的信号隔离和传输。
参数
- 正向电流 / Forward Current : 60mA
- 峰值正向电流(1us脉冲) / Peak Forward Current (1us, Pulse) : 1A
- 反向电压 / Reverse Voltage : 6V
- 功耗 / Power Dissipation PD : 100mW
- 功耗 / Power Dissipation PC : 150mW
- 集电极电流 / Collector Current : 50mA
- 集电极-发射极电压 / Collector-Emitter Voltage VCEO : 80V
- 发射极-集电极电压 / Emitter-Collector Voltage VECO : 7V
- 总功耗 / Total Power Dissipation PTOT : 200mW
- 隔离电压 / Isolation Voltage VISO : 5000Vrms
- 工作温度 / Operating Temperature TOPR : -55至110°C
- 存储温度 / Storage Temperature Tstg : -55至125°C
- 焊接温度 / Soldering Temperature TSOL : 260°C
- 前向电压 / Forward Voltage Vf : 1.2-1.4V
- 反向电流 / Reverse Current Ir : ≤10μA
- 输入电容 / Input Capacitance Cin : 30-250pF
- 集电极-发射极暗电流 / Collector-Emitter Dark Current ICEO : ≤100nA
- 集电极-发射极击穿电压 / Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO : 80V
- 发射极-集电极击穿电压 / Emitter-Collector Breakdown Voltage BVECO : 7V
- 电流传输比 / Current Transfer Ratio CTR : 50-600%
- 集电极-发射极饱和电压 / Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(Sat) : 0.1-0.2V
- 隔离电阻 / Isolation Resistance RIO : 5×10^10Ω
- 浮动电容 / Floating Capacitance CIO : 0.6-1.0pF
- 截止频率 / Cut-Off Frequency Fc : 80kHz
- 上升时间 / Rise Time Tr : 6-18μs
- 下降时间 / Fall Time Tf : 8-18μs
应用
1. 可编程控制器 2. 系统设备和测量仪器 3. 电信设备 4. 家用电器（如风扇加热器等） 5. 不同电位和阻抗电路之间的信号传输
特征
1.电流传输比高达50-600% 2.输入与输出之间具有高隔离电压（VISO=5000Vrms） 3.爬电距离大于7.62mm 4.工作温度范围宽（-55至110°C） 5.符合无铅和RoHS标准 6.通过UL和cUL认证（编号E214129） 7.通过VDE认证（编号132249） 8.通过SEMKO认证 9.通过NEMKO认证 10.通过DEMKO认证 11.通过FIMKO认证 12.通过CQC认证
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厂家介绍
亿光电子股份有限公司于1983年在台湾台北成立，由叶志强董事长领导。亿光拥有超过 40 年的研发经验，具有可靠的能力。凭借即时的服务和卓越的品牌声誉，亿光在竞争激烈的LED市场中名列全球前五。我们的产品在内部制造和包装，以保证最高的质量和服务。亿光提供多样化的产品组合，包括高功率 LED、SMD LED、灯具、照明元件、LED 照明模块、数字显示器、光耦合器和红外元件，适用于各种应用。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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AC输入光电晶体管耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW
EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。
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标准光电晶体管耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。
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EL816 Series光耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。
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EL817-G Series光耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。
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低功耗光电晶体管型光电耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW
EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。
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